Как проверить биполярный транзистор с помощью тестера. 

+andrew да, это верно подмечено

HamRadio Tag здравствуйте не подскажете на автомобилях какие транзисторы используется? которые отвечает на искру?

А сейчас ? 😀

Это снаббер. Для размагничивания ЭДС

Диод ставится от противоэдс в обратном направлении при отключении индуктивной нагрузки. Потому что возникает напряжение обратного потенциала и нужно его загасить

+Igor Chistyakov Не тянешь на КЭПа. У германиего биполярного транзистора в отличие от кремниего переход Э-К имеет гораздо меньшее сопротивление и может это показать на приборе.

Igor Chistyakov

+Буда Пешт да

должен

А должно быть какое-то сопротивление в данном случае? У меня звонится безо всякого сопротивления. И в ту, и в другую сторону.

@@ДенисСеменов-ч6м это один и тот же контакт просто выведенный на корпус

жду ваш вариант!

Если по-простому то , транзистор это электрический кран. И чтобы переход между коллектором и эмиттером открылся , нужно на базу подать ток. При нпн структуре на базу подаётся + , на эмиттере минус , а на коллекторе нагрузка, подключенная на плюс основного источника питания. В пнп наоборот , на базу подаётся минус , на эмиттере - плюс основного источника , на коллекторе минус через нагрузку

вы путаете полевые и биполярные транзисторы. это разные вещи. база у биполярных. затвор у полевых. про игбт ничего не могу подсказать, с ними не работаю практически

Вряд ли я что путаю. Если путаю, то напутано до меня. IGBT перевод сокращения "Insulated изолированный Gate затвор Bipolar биполярный Transistor транзистор" - на нормальный русский "Биполярный транзистор с изолированным затвором". Получается, что IGBT должен иметь базу, ан нет, в обозначении выводов присутствуют буквы GCE (или во втором варианте GCS). Не верите - посмотрите www.ebay.com/itm/10pcs-BUP314D-BUP314-IGBT-SIEMENS-WITH-ANTI-PARALLEL-DIODE-/172262964392?hash=item281bac3ca8:g:01MAAOSwgY9XejQo. Главное, считаю, иметь представление о сути происходящего, функциональном предназначении той или иной части устройства, а как ею называют - дело второстепенное. Даже если ничего не можете сказать про IGBT, то вскоре, думаю, Вам придётся узнать и сделать видео. По долгу занятий. Сейчас всё большее распространение получают сварочные IGBT-инвертеры, произведённые с использованием как единичных IGBT, так и IGBT-модулей. От себя про IGBT отмечу: среднюю положение занимает коллектор C, именно он соединён с подложкой, а не база или затвор G, как в данном случае. Вывод G действует в IGBT как управляющий: при открытии G положительным напряжением ток идёт через переход "коллектор C - эмиттер E" в обоих направлениях, при закрытии G разрешает только однонаправленное протекание тока от эмиттера E к коллектору C. Такая картина получилась при прозвонке нового Infineon BUP314D.

@@ortgmk7385 0

Ну-ну. Gate, Source и Drain - это затвор, исток и сток ПОЛЕВОГО транзистора, а здесь речь идёт о биполярном. Учитель, блин...

ты просто 20 лет назад ничё не соображал, когда в технаре учился. это всё шмаль. :-)

Было бы отлично, если про другие детали рассказали, туннельный диод и т.д.!

Да, было бы хорошо. Вы очень понятно всё объясняете, и хотелось бы учиться от вас.

Нет, пробит(((

Нет.

+Valentin Bendik Ну а вообще, большое спасибо за видео. Многим будет полезно. Сам занимался ремонтом аппаратуры 13 лет назад, пока не пересел за компьютер и не занялся администрированием сетей и программированием. Приятно было осознать, что за эти годы не все вылетело из головы.

сопротивление перехода зависит от приложенного напряжения, если 100-300 ом, это значит, что на переходе 0.3-0.5 вольта, при 0.7 вольт это насышенный переход при этом сопр-е будет несколько ом(зависит от температуры и технологии), если ток не ограничивать (а в тестере есть резисторы), то переход можно пробыть напряжением всего 0.8 в. а вот переход база-эмиттер в обратном направлении - это диод зенера примерно на 5 вольт (как стабилитрон). в микросхемах такое включение часто используетьая.