@@alexrus1324 В видео не оговорка, для получения низкого сопротивления открытого канала силовые МОП транзисторы, тот же irfz44 представляют собой множество параллельно включенных транзисторов в одном корпусе. Тоже самое, как множество параллельно включенных сопротивлений дают более низкое эквивалентное сопротивление
Огромное Спасибо!!! Четко ясно лаконично кратко ёмко доходчиво. Огромная благодарность низкий поклон за ваш не оценимый труд.Светлые мысли во тьму моего серого вещества.
Всем привет. Я так же как и Вы изучаю электротехнику и электронику по этим видео, за что большое спасибо и мой поклон автору курса и его команде. В процессе изучения, многое проверяю на практике. Решил записывать на камеру практические работы и выкладывать у себя на канале. Если у Вас нет соответствующего оборудования, времени и т.д., что бы самостоятельно провести необходимые эксперименты. Или Вас одолевает любопытство, как это работает на практике, то добро пожаловать. Практика по данной лекции: ru-vid.com/video/%D0%B2%D0%B8%D0%B4%D0%B5%D0%BE-ZVM-UngBItU.html
а я не понял! сопротивление открытого транзистора доли ома, откуда 4к ? "С помощью технологических изменений Uотс мы можем менять. Обычно его выбирают 1/3 Епит" Ну МЫ менять не можем, его обеспечивает производитель транзистора. К тому же откуда производитель знает, какое Епит мы будем использовать, чтобы 1/3 обеспечить?
Вот да, кто бы стал использовать мосфеты с сопротивлением в килоомы, тот же блок питания на мосфетах может выдавать 30 Ампер, этот транзистор превратился бы в звезду мнновенно
Уважаемый Анатолий Борисович. Спасибо Вам за лекцию. Однако у меня есть вопрос. Подскажите пожалуйста, на 10:22 у Вас изображён верхний МОП p-канальный транзистор истоком к -27В. Однако было сказано, для p-канальных транзисторов Uds < 0, а в данном случае получается что S = -27, а D гипотетически будет замкнут на землю (когда откроется второй - нижний транзистор). Получается Uds = 0 - (-27) = +27В, что противоречит типу включения p-канального МОП транзистора. Так и должно быть, т.е. за счёт этого достигается необходимый номинал сопротивления, или на схеме ошибка ? Заранее, спасибо за ответ.
верхний транзистор подключен к цепи питания СТОКОМ(исток всегда расположен рядом с ЗАТВОРОМ_. Просто для формирования заданной величины сопротивления канала верхнего транзистора его подложка подключена к СТОКУ
@@Zefar91 Ага, понятно. Всё встало на свои места, Вы какраз вначале говорите что затвор изолирован от канала и транзистор управляется завтором и подложкой. Т.е. по сути, мы меняем сопротивление, подавая на подложку-затвор соответствующие напряжения. Спасибо что прояснили.
Фууууу!!! Бесполезная железяка. Нафиг он кому нужен с 4 кОм сопротивления при открытом состоянии? Этим током только нормальный биполярник открывать, больше никуда не годится.
Та ну! Відкритий канал має опір декілька ом, а силові - декілька міліом. Різниця тільки в кількості носіїв зарядів та відповідно - у максимальному струмі. Логічні елементи: декілька міліампер, силові: декілька сотень ампер.
в первую очередь хочу сказать огромное СПАСИБО за Ваши видеолекции, мне кажется я бы сейчас работал на другой специальности если б мне так же в техникуме преподавали пром.электронику.В даташите на IRF3205PBF написано сопротивление в открытом состоянии 8мОм,на практике еще не замерял,но обязательно попробую. Правда весомый ток D - S для этого транзистора найти будет не так то просто....
для получения низкого сопротивления открытого канала силовые МОП транзисторы, тот же IRF3205PBF, представляют собой множество параллельно включенных транзисторов в одном корпусе. Тоже самое, как множество параллельно включенных сопротивлений дают более низкое эквивалентное сопротивление
