في المختبر:: 151- غموض في تصرف الترانزستور - سؤال اكاديمي عملي 

لا والله مش ممل ولا ايشي غير فعلا الامر محير طبقا للقواعد اللي درسناها وشرحك دكتور كفى ووفى بجهد الانهيار اللي ما راعينا حسابه لانه كان مهمل في كل التطبيقات..اضم صوتي اليك .. رايك هو الصواب بإذن الله

الدكتور وليد عيسى الفاضل، تحية طيبه. أنا من أشد المعجبين بالمعلومات في الهندسة الالكترونية التي تقدمها للمجتمع العربي. بالنسبة للسؤال المطروح، فعندي الملاحظات التالية اذا تكرمت. الحالة التي قام مؤلف الكتاب بوضعها على غير المعتاد هي الحالة الرابعه من حالات انحياز الترانزيستور والتي يكون فيها ال Junction Between B and E Reversed Biased and between B and C Forward Biased وتسمى ب Reverse Active Bias. وعادة في هذه الحالة تكون قيمة البيتا عمليا أقل بكثير من البيتا في حالة ال Forward Active Bias. ولكن نظريا السؤال هنا يفترض بأن لهم نفس القيمه للبيتا = ١١٠ وهو مخالف للواقع. ولو رجعنا لبرنامج المحاكاة Multisim فعند النقر مرتين على الترانزيستور واختيار التعديل على ال Edit Model فستجد أن هنالك متغير اسمه Ideal Maximum Reverse Beta وقيمته الموضوعه افتراضيا = ١ ، قم بتعديلها الى ١١٠ كما هي في حالة السؤال، فستجد أن اجابة المحاكاة ستنتج تماما كما هو حل الكتاب. وشكرا لجهودكم.

مهندس وليد هاي الحالة اسمها reverse active وبهاض الوضع التيار بمشي بالعكس طبعا هاض عكس الحالة الطبيعية للترانزيستور وبصير نفس الشي بال npn هي موجودة بالكتب اخذتها خلال دراستي الجامعية

الحلقة غير مملة بالعكس رائعة جدا وغنية بالمعلومات رحم الله والديك واياك دنيا وآخرة واسكنكم جنة الفردوس تفسيراتك كلها منطقية وصحيحة بارك الله فيك

ممكن تقوم بدروس الميكركنتروال و لغة البرمجة c

دة وضع reverse active بيحصل لما يكون bc junction متوصلة forward وال be junction متوصلة reverse ساعتها بيكون ال الترانزستور شبه الاكتيف عادي بس بالعكس فهتلاقي ان الVbc=0.7v اللي اصلا بتكون Vbe مش bc وهنا ال c بنعتبره e والعكس ولذلك فالمسميات صحيحة علي الرسمة مفيهاش اخطاء باختصار كل المعلوات اللي درستها عن ال reverse active 1-Vbc متوصلة forward = 0.7v. 2-Vbe متوصلة reverse. 3-يوجد بيتا اخرى تسمى B reverse وتكون صغيرة جدا في حدود 0.1 او 0.2 ودية بنستخدمها واحنا بنجيب تيار الكولكتور عن طريق Ic=(Br+1)Ib وبنجيب تيار ال emitter عن طريق Ie=Br.Ib (لاحظ هتلاقي نفس قوانين الاكتيف ولكن مطبقة عكسيا وباستخدام Br اللي هي بيتا ريفرس). واذا كنت محتاج تشوف دائرة فعلية مشهورة مطبق فيها ال reverse active شوف دائرة TTL NAND

الحلقة مش مملة والله انا بستمتع وانا بستفيد من المعلومات دي وكنت مش عايز الفيديو يخلص بارك الله فيك وجزاك خيرا

رائع كالعادة بارك الله فيك

بارك الله بيك دكتور وليد

عاشت ايدك والله تفسيرك في غايه الروعه

بارك الله فيك

الله يجزيك الخير على مجهودك العظيم ☺

الله يكرمك وفعلا حلقه ممتازه وربنا يباركلك

الف شكر يا بش منهدس ربنا يجزيك كل خير

فيديو في غاية الاهميه بالذات في تصميم الدوائر .

تحليل وڤيديو أكثر من رائع

الله يجزيك الخير على التوضيح والله يبارك بعلمك وأسأل الله العظيم أن ينفع بك المسلمين

رائع منور دايما دكتور وليد

جزاك الله خيرا .. شرح جميل ومفيد وغير ممل .

مشاء الله شرح جميل

احلى دكتور بالدنيا 🌹

بارك الله فيك دكتور وليد رفع الله مقامك في الدنيا والآخرة ورزقك من حيث لا تحتسب

شكرا يا دكتور على الشرح الجيد و الموفق

محاضرة ممتعة ..جزاكم الله خيرا .

والله الحلقة مهمة، وقد ابدعت في تحليل هذا التصرف الالكتروني، شكرا استاذ

جزاك الله خيرا فديوهتاك تجدد في الامل بعد تصادم بروتين الحياه

مزيدا من العلم والتقدم

يعطيك الف عافيه

حلقة روعة

الله يجزيك الخير

شكرا اخ وليد للمحاضرات المجانية

ارق تحياتى يا د/ وليد عيسى مشكورا على جهدك الراقى ويجعله الله فى ميزان حسناتك

بالعكس الفيديو شيق بجد ربنا يقويك

جزاك الله خيرا شرحك جيد جيدا لم اجده في الكتب

إستمر دكتور وليد والحلقة ممتعة جدا ومليئة بالمعلومات القيمة وطريقة التفكير الفعالة بارك الله فيك

حلقة ممتعة كثر لنا من هذا نوع من الفيديوات لكيفية حل المشاكل النظرية

مشكور دائما استاذ وليد 😘😘😘😘

Thank you so much for all the information , very interesting and informative

الله يحفظكم

حلقة راااااااااااااااااااائعة ... و مفيدة جدا جدا ... و اغناء للمحتوى العربي بتفاصيل دقيقة و علمية بهالشكل

ليست ممله ولكنها أكثر من رائعة بارك الله فيك مهندسنا العزيز ومعلمنا الأول فى علم الالكترونات

السلام عليكم استاذ وليد والله والله والله دورسك ممتازة وربي يوفقك في كل اعمالك, الله يخليك الله يحفظك استاذنا واصل اكثر فاكثر خاصة في الالكترونيك الرقمية électronique numérique

رائع مشالله عليك

الله بجزيك الخير، و شكراً على الشرح الجميل، انا ايضاً دكتور بجامعة و وجدت عرض شيق و ممتاز و تحليلك جدا منطقي.

حلقة جميله ومفيدة رغم طولها 😘❤️😘❤️😘❤️😘🌹❤️🌹😘🌹😘❤️🌹❤️🌹❤️🌹😘🌹🌹❤️🌹😘

شكرا

من امتع الحلقات ... فيها معلومة قيمة و ألقت الضوء على وضع عكسي لتشغيل الترانزيستور يعمق الفهم لطبيعة عمل الترانزيستور

أحسنت أحسنت أحسنت❤️🌹

كل الفيدهوات التي تقدمها اعطيها لايك من قبل المشاهده لان جميع فيدهاتك رائعه

لا ادري لما قد تعتبر مملة .. لم اشعر بالوقت كيف مر وانا اتابع التحليل العقري هذا ... برافو عليك استاذنا

ابدعت ...وان اخطات

رووووووووووعه

مرة أخرى ، مع أنني ماجستير هندسة انشائية ولكن عندي إهتمام كبير بالإلكترونيات كهواية قديمة ، وقد استفدت كثيراً من محاضراتك منذ المحاضرة الأولى في الدورة العملية في الالكترونات وكان ذلك منذ سنوات ، طريقة عرضك في المحاضرات تفوق الممتاز بكثير ، ولم أجد طريقة شرح بهذه المتعة مقارنة بكل مجالات الهندسة ، ربي يحفظكم ويبارك لكم في علمكم وعملكم ويبارك لكم في ذريتكم

يعطيك العافية دكتور فعلا الفيديو مشوق بسبب النتائج الي ممكن تخالف الي تعلمه كتير طلاب بالجامعة و فعلا بخلي الواحد يشغل مخه 😂

كنت بفكر المفاهيم اللي عطونياها بالكلية عبارة عن خواطر لبعض الفلاسفة اليونايين الله يجزيك الخير وينفعكم وايانا بما انعم الله

بالعكس الفديو شيق👏

متابعة 😌😌

جميل جدا اتمنى اني احد طلابك انا مجرد هاوي بتجارب بسيطه لو كنت قريب منك ساتدرب على المنهج كامل لو كلفني الكثير من المال و 10 سنوات دراسه

طلب من فضلك : اسلوبك ف الشرح رائع هل اذا سمحت تعمل حلقة عن كيفية تحديد الكابل الكهربي المناسب للاحمال بحسب الطول و مساحة مقطع السلك و كيف تتجنب تلف السلك ؟

اخي الكريم الدكتور وليد عيسى أن من اشد المعجبين بك لشخصيتك الرائعة والمتواضعة ومعلوماتك القيمة واصرارك على معرفة الحقيقة ،في الحقيقة أنا كذلك اندهشت كثيرا لو لم تقم بتطبيقه عمليا لقلنا هذه الدارة خاطئة ،الفيديو لم يكن مملا بالعكس كانت فيه معلومات غريبة وقيمة ،جزاك الله خير الجزاء ،اخوك من الجزائر ، شكرا.

يا اخي بصراحة هاد شي بالجامعة ما عم اشوفو والله يجزيك كل خير

ماشاءالله مجهود رائع منك استاذ وليد كالعادة وأيضاً الاخوة ما قصروا بالتعليقات استنتاجك صحيح وهو كما وافقك بعض الاخوة في الراي لكن عندي سؤال .. هل يمكن استخدام الترانزيستور بهاي الوضعية لاداء مهام مفيدة؟

لا ليست مملة بل بالعكس استفدنا بالتجربة جزاك الله خيراً

بالعكس الحلقه مش ممله ابداا 🖤🖤🖤

رغم اني مبتداء في علم الاكترونيات لاكن اجد متعه كبيره بطريقة شرحك ورغم اني اجد صعوبه في الفهم لاني مبتداء لكن لم يكن هذا االفديو ملا بل على العكس

YOU'V REALY SOLVED THE PROBLEM ,

اهلا الاخ عيسى نشكرك على هذه المعلومات و الفيديوهات ونريد منك رجاءا ان تعطينا مخطط لعمل كاشف معادن اكثر جودة وفاعلية من هذه الفيديوهات التي نراها على اليتيوب ولك جزيل الشكر

حبيبي ولدي

شكرا لك استاذ لو سمحت وعندك وقت نريد فيديو علي مخطط كهربائي وكيف يمكن قراته

بارك الله فيك انا انصدمت من هذا التصرف وايضا بالنسبة لي VBE كنت اقرها في datasheet لكل ترانزيستور ولكن كنت احاول فهمها ولم اسطع وان فهمت مغزى . شكرا لك وفيديو لم يكن ممل بل شد حماسي بهذا المجال اكثر وزاد شغفي في تعلم وفقك الله لما يحب ويرضى

ممكن تتكلم عن switch mode power supply

سوي شرح عن ملف تسلا ❤❤❤

ممكن استاد تنزل فيديو لفحص ic power et

الف شكر علي هداالشرح وانا لست اكاديمي وانما هاوي الكترونات والدي فهمته من الفيديو يمكن تغير خصائص العنصر واستنتاج قيم غيرموجودة .......وارجوان يكون فهمي المتواضع صحيح ولكم الف شكر اخوكم من ليبيا

مشكور دكتور ...مشاهدة ممتعة حقا...ولكن اعتقد ان السبب الأساسي لل breakdown هو غزارة حوامل الشحنة في الباعث سواء كان ثقوب ام الكترونات ...وانه عندما يصل لل breakdown جميع حوامل الشحنة محيزة .مما يزيد الناقلية بين الباعث والقاعدة .

السلام عليكم أستاذ وليد. الدايود بين القاعدة و الايميتر في اتجاه عكسي نتيجة Avalanche Breakdown و Zener-effect و هي نفس الطريقة المستعملة في صناعة الزينر و موجودة في كثير من كتب الميكروالكترونيك. تحليلك كان في محله

شكرا لك المهندس وليد عيسى أنا لدي ملاحظة بسيطة على التجربة حيث قمت بإزالة السالب 12 من الإميتر ثم قمت بحساب الفولتية على الإيمتر فوجدتها 0.7 وهذا لايعني بالضرورة أن الترانسيستور مشبع لأنك تعلم قبل التشبع يعمل الترانسيستر كأنه مقاومة إذن إذا شلت ال12 فولت من الإميتر فلن يمر تيار في الإميتر وبالتالي ستكون الفولت على الكوليتر هو نفسه غلى الإيمتر وهذا ليس بالضرورة أن الترنسيستر مشبع لأن النقاومة عندما لاتمر بها تيار يكون فرق الجهد عندها منعدم

يا ريت لو تعمل مخطط لوحه لجهاز استشعار للمعادن الثمينة.

👍👍👍🌹🌹🌹

تجربة رائعة وتعليمية ممتازة جرب تغيير الفولت بالاعلى (8 فولت) الى 12 فولت واعد التجربة مرة اخرى. هلى سيبقى فولت القاعدة الباعث (الزينر) عند 8.5 فولت ايضا؟

ا والله مش ممل ولا ايشي غير فعلا الامر محير طبقا للقواعد اللي درسناها وشرحك دكتور كفى ووفى بجهد الانهيار اللي ما راعينا حسابه لانه كان مهمل في كل التطبيقات..اضم صوتي اليك .. رايك هو الصواب بإذن الله........منقول وشكرا دكتور...

في البداية أحلى تحيه إلك. كلامك صحيح 100 % من حيث ان وصلة E B تتحول لزينيركون الجهد المطبق عليها أكبر من جهد الإنهيار الموضح في datasheet. و الترانزستور بهيك وضع بكون شغال بوضع معاكس تماما للوضع الي هو تصمم للعمل عليه . هاد الحكي ما بتم تدريسة نهائيا في الجامعات. شخصيا انا كنت أدرس في الجامعات و في الأول الإلكترونيات هوايتي قبل ما أدرسها في الجامعة. للأسف كثير مواضيع عملية يتم إهمالها في جامعاتنا و يتم التركيز فقط على المحتوى النظري فقط. و لكن بحكم هوايتي قبل دراستي كونت فهم عملي قبل النظري و هاد الشي ساعدني كثير في فهم كل المواد التخصص. و كنت أعمل تجارب كثير في البيت.

بعد اذن حضرتك عاوزين شرح لدائره ESC ارجو الرد من حضرتك

بربي لو تعطينا ملاحظة على الترونزيستور effet champs npn وكيف يصير يكبر التيار الكهربائي بسببه في اللوحة الإلكترونية

ممكن توضيح على IGBT في دائرة H-BRIDGE مع tlp250

كالعادة غني بالمعلومات عندي سؤال و ابي النصيحة انا مهندس آلات دقيقة وتحكم و ابي اكلم ماجستير اوتوميشن لكن ماني متاكد من فايدته لأني باني أمور عليه ولاني عارف بالضبط فايدته

والله يا مهندس ما هو ممل والله عني شخصيا ارتاح لمتابعة شىرحك، منطقي منهجي، بارك الله فيك, لدي سؤال عن هناك علاقة بين قيمة الفولط الداخلة من c الى b ,و قيمة الزنر المتولدة نحتاج لتجربة اخرى تغير فيها قيمة 8v بين ال b و c ونلاحظ هل ستتغير قيمة الزنر الى قيمة اقرب لها ، من ملاحظتي ان قيمة الزنر المتولدة تكاد تكون قيمة الفولط الداخلة من c والله اعلم، وشكرا

هنا الأمر عادي نسميه بالفرنسية l'effet transistor هو مطبق من الجهتين EBC أو CBE لكن جونكسيون EB لا تشبه BC

السلام عليكم اخي ممكن سؤال ممكن بديل لمكبر العمليات k157ya2 جزاك الله خيرآ

أستاذنا الفاضل / لاحظت ثنائيه القطبيه لل B { في تلك الحاله } لكونها مربوطه بين ال( +8v ) و ( -12 ) ب إجمالي = { 20v } للبطاريتين ،، 1- تعمل ك موجب مع ال( -12 ) قيمته = ( 10v) 2 - وارضي مع ال + 8v قيمته = ( 0 volt ) جزاك الله خيرا كثيرا وبركه ، وجعل الله مجهوداتكم المخلصه في ميزان حسناتكم ، اللهم امين يارب العالمين

أعتقد أن الحالة المذكورة هي الوضع الفعّال العكسي reverse active باعتبار الديود Je محيز عكسيا و ال Jc محيز أماميا. الكثير من المراجع تمر على هذه الحالة مرور الكرام لأن تطبيقاتها العملية قليلة. شكرا لك على الشرح الواضح و الكافي لهذه الحالة.

السلام عليكم ياريت تعملنا حلقة عن: Astable multivibrator

plase tell me the best Oscilloscope

القوانين المدرسية عن الترانزستورات واغلب القطع الاليكترونية تتكلم عن هذه القطع عند استخدامها في نظام التشغيل الخطي ، تتصرف القطع بشكل مختلف تماما في ظروف غير خطية وحتى في الظروف الخطية تتصرف ترانزستورات دارلنجتون بشكل لا يخضع للقوانين المعروفة عند وجودها في مجال كهربائي ؛ كذلك كثير من قوانين الفيزياء فيها درجة ما من( التعميم المتعسف ) وفي ميدان الكهرباء بالذات

استاذ وليد سؤال مهم بلنسبة لي هل يمككنا وضع ترنزستور او محول جهد متغير على ic tp4056 smd للسماح بتكبير حجم البطاريات ؟؟؟

السلام عليكم ورحمة الله وبركاته هنا يا أخي الترانزستور من ناحية تكوينه الداخلي بغض النظر عن القيم المكونة له هو ثماثلي PNP إذن نظريا يشتغل بصفة الترانزستور لكن مكونات الجهات الثلاثة تختلف لهذا هو أعطى قيما كأنه يشتغل في الوضع الصحيح مع الملاحظة أن التيار تقريبا متساوي لانه يشتغل معكوس و لهذا السبب لا نستعمله في هذا الاتجاه.

بالعكس غير ممل بل هو من افضلهن و هذه هي الالكترونيات الحقيقية

هل هناك شرح عن مكبر صوت صنف D .... أو هل ممكن ان تقدم شرحا لذلك...تحياتي لك

السلام عليكم ورحمة الله ، الاخ الفاضل الاستاذ وليد لك كل الشكر والتقدير وجزاك الله خيرا واثابك بكل ما تقدمه من علم وفائدة وجعله الله في ميزان حسناتك والتحية للأخوة المتابعين لقناتك المعرفية واتمنى لهم التوفيق والازدهار . اولا الرسمة التي بالكتاب بها خطأ واضح ويتمثل في وضعية الترانزيستور حيث أن الاطراف معكوسة فالطرف العلوي هو الباعث وليس المجمع وهو الذي كان يجب ان يرسم عليه السهم الموضح للباعث وبالتالي فإن الطرف السفلي هو المجمع و ستصبح الرسمة صحيحة لأن انحياز المجمع مع القاعدة يجب ان يكون انحياز عكسي. بالنسبة لما جرى في السيموليشن واللاب تفسيره واضح حيث انه من المعروف ان الترانزستور مكون دائما من ثلاثة مناطق اثنان منها متشابه وهما المجمع والباعث يكونان من نفس نوع التشويب ونفس نوع الشريحة سواء N type او p type ومعروف أن الاختلاف بينهما يكمن في قيمة التشويب والتي تؤثر فقط في قيمة التكبير بيتا ففي حالة عكس توصيلة الترانزستور فانه يعمل ولكن بتكبير تيار اقل

Ocasionally the emitter has much more dopant than the collector, this will push more charge carriers from the emitter to the base in case the transistor was operated in the forword active mode (more gain), but in the reverse active mode the gain is less since the collector is less doped than the emitter (gain is less), in summery beta has to change.