【更正版】中國穩態微聚束SSMB超越ASML極紫外光EUV！？是真的嗎？要如何做到？ 

不要盲目害怕，但要有危機感。新的技術要不斷延進。

前途是光明的、道路是艰难的、加油!

大家好，週三上傳的影片在8:56的地方漏了1分鐘的片段，所以我重新上傳一次，大家可以直接看漏掉的那一段影片，或是重看整部影片，再溫習一下同步輻射的原理，唐傳祥教授的文章會被自然期刊接受，代表這個實驗是成功的，對未來的同步輻射發展有很重要的貢獻，值得再好好了解一下！

有凭有据又中肯 谢谢解读！

在過去發展極紫外光時。科技界就探討過許多方案。 本中子方案當年被捨棄。原因是溫度太高。擾亂晶圓表面矽結構。 如今。矽結構被破壞。已經可以找到還原結構的技術。 因此。中子雕刻術就復活了

今天看了 SSMB-EUV 的幾個影片，讓我對中國科研人員的看法又改觀了，根本是沒底線地在拼命，進度太快了。

0:36 0:36 0:36 0:36 0:36 光刻机是目前为止，人类有能力制造的最精密和复杂的机器，没有之一。一台光刻机，有三大关键部分组成。第一部分是光源、第二部分是光学系统、第三部分是蚀刻工作台。每一部分的技术挑战都堪比登月。 1997 年，英特尔公司和美国能源部共同投资一家公司，开始研制 EUV 光刻机。在 6 年的时间中，这家公司研发了绝大部分的核心专利技术。但英特尔和美国能源部都不打算自己造光刻机，因为他们觉得造光刻机其实不挣钱，还不如把核心技术授权给一家外国公司，让他们去造光刻机。后来，荷兰的阿斯麦公司拿到了这些核心技术的授权，然后在三星和台积电等公司的帮助下，终于在 2010 年生产出了第一台 EUV 光刻机的原型机，又测试、优化、升级了 9 年，最终在 2019 年生产出了第一台可以正式投入商业生产的 EUV 光刻机，总共历时 22 年。 然而，虽然 EUV 光刻机是荷兰的阿斯麦公司生产的，但它也不过就是一个组装厂，只有 15% 的零件是自主生产的，其他 85% 的零件依靠进口。又因为美国能源部拥有光刻机几乎所有的核心专利，所以，阿斯麦生产光刻机，需要美国能源部的授权。这就是为什么假如美国政府说不准把光刻机卖给中国，荷兰的阿斯麦公司只能听它的原因。可以说，一台 EUV 光刻机是七、八个国家围成一个圈，卡着阿斯麦的脖子。 中国想要突破技术封锁，独立生产光刻机，就需要在全部三大关键部分上实现完全的自主创新。我们现在只能说，在第一个光源部分，我们看到了一点点希望。 2010 年，斯坦福大学的华人教授，同时也是清华杰出访问教授赵午与他的博士生一起提出了一种产生极深紫外光源的新原理，这种原理被称为“稳态微聚束”，英文简称 SSMB，就是利用巨大的粒子加速器来产生极深紫外光。2017年，清华大学的唐传祥教授团队与德国的同行一起合作，完成了实验的理论分析和物理设计，并开发测试实验的激光系统，进行了一定的原理验证。2021 年2 月，他们的论文在《自然》杂志上成功发表[1]，唐教授的博士生邓秀杰是第一作者，唐教授和德国亥姆霍兹柏林材料与能源研究中心的另外一位教授是通讯作者。 到了 2022 年 3 月，唐传祥教授和邓秀杰博士又在我国的《物理学报》上发表了同名论文[2]，可能他们自己也没想到，一年多后，不知道什么原因，大概是在 2023 年的 9 月 13 日，不知道是哪个自媒体发了个视频，标题很那个啥，叫《逆天了！清华大学SSMB-EUV光源横空出世，功率达到EUV光刻机40倍》，然后，仿佛一把火，各个自媒体平台都开始以各种“逆天了”三个字开头为题，来热炒清华大学的这个 SSMB 方案，看得都傻了。 中國现在离实现生产极深紫外光刻机还有十万八千里，千万别上头。首先，清华的官网上说，2021 年，唐传祥教授就已经向国家发改委申报把 SSMB 实验装置列为十四五国家重大科技基础设施。但是，我没有查到任何立项的新闻。注意，这种民用科研项目不是军事项目，不需要保密，立项都是需要公示的。也就是说，至少到目前为止，这个项目连立项都没有立项。 就算乐观一点，明年立项。这种级别的科研装置，没有个 5 年是很难建成的。然后建成了以后我们再乐观点，搞个 3 年测试成功，然后再花 5 年建成可以商用的光源。这就 13 年过去了。但是，光刻机的另外两个关键部分能不能在这 13 年中搞成呢？现在连个影子也还没有。 而且，我们不知道再过 13 年，美国人、荷兰人是不是又搞出了更先进的下一代光刻机，中國还得继续追。 最后说一句不中听的观点： 在 20 年之内，这个世界上不可能有任何一个国家可以完全独立自主的造出一台代表国际最先进水平的光刻机，美国也不例外。 为什么要把这个观点说出来，是因为真的不希望过去大跃进的悲剧重演，中国人是很聪明，但并不意味着中国人就是特殊材料的人，全世界所有的种族都是人科、人属、智人种，中国人和外国人的基因几乎没有差异，不比外国人笨，但也并不比外国人聪明很多。 实事求是才是发展科学技术的正道，光刻机这样超级精密复杂的机器，寻求最大范围的国际合作才是最佳解决方案。

用同步輻射加速器可以做為獲得極紫外光的光源之一，主要是希望得到穩定的高功率光源，事實上ASML的極紫外光源並不需要使用到這麼大的設備，而是採用雷射電漿（laser-produced plasma，LPP）技術來產生波長為 13.5 奈米的 EUV 光，不過這種方法產生的光源比較弱，最佳狀態時只能輸出 10 瓦的功率，而且可靠性低，這也是為什麼EUV這麼貴的原因。 EUV 光的產生是用二氧化碳雷射每秒 5 萬次去轟擊液態錫滴，主要的困難就是要怎樣把 EUV 光的穩定的輸出功率調高到可作為量產的250瓦功率。目前的EUV機是台積電和 ASML共同合作，日夜不停地改進光源的各項參數，才在 2015 年完成了這個任務。

感謝曲博士！

我覺得曲博的話不可盡信，請各位保重！

Clearest explanation of EUV research on the internet! Very good. Given the existential threat, China has no choice, and the governance model favours state owned intervention. So it will not be surprising the the Chinese will consider the Utility EUV model and invest in the EUV accelerator and sell the light source to a group of foundries located in the vicinity. Watch out world. The semiconductor manufacturing model is just about to change. If realised, one can foresee more than one TSMC in China. Breathtaking!

感谢曲博的专业讲解，涨知识了！

聽老半天的結論是，1. SSMB 可以產生最短至 5nm 的光源，比 ASML 的 EUV 13.5nm 更短。2. SSMB 可以輸出達 1k w，比 ASML 的EUV 最大 500w 還高。3. 補充說，中國的光學鏡面，光罩技術還等漫長發展，所以目前還不能使用。第三項，需要更多資料就才有說服力！

任重而道遠，但已不遠💪，光罩與反射鏡相對不難，接下來是一年的磨合及參數調整。

SSMB目前的方案簡單說就是把滾水倒進去一根超級長的金屬管子，然後要哪個溫度的水自己去相應的段落裝水。

這是教授級的解說、謝謝您

整個看完有2個感想。 第1是大概有8成左右的人會滑走，能看完是少數。 第2是又是個先破產還不一定會成功的項目。

謝謝曲博詳解，現在科技一日千里，很多今日的質疑，卻在明日成為普眾事實。看看多少日子前才因蓄電問題拒絕電動車，如今充一次電跑的里程數不輸加滿油箱的油車，甚至已要投入電動飛機的開發了，EUV設備應該也會在新材料新思維中被簡化、經濟化。

成功都是建立在一个一个技术的突破上面，路一步一步走，慢慢来😂

講咗當做咗，真牛逼。又赢嘛了。

非常中肯，这种科学态度让人非常舒服，学习了，感谢你！

無心機看和聽!

近日網上有人提到，華為因將在高、低頻段表現突出的”BAW濾波器”技術（非傳統的僅在高頻段表現突出的SAW濾波器）用於Mate 60 Pro手機內，致使其能衛星通訊、在電梯地下室內接收訊號強、通訊時輻射強度低等等，遠優於其他高端手機，不知是否合理或正確？ 另該手機亦是全球第一款應用超線程（Hyper-Threading）技術的手機。

其实大家都知道，多数情况下，prototype搞成了基本就是90%的成功率了。剩下的事就是购买设备组装调试，由于不同于工业领域的大规模量产，不存在要解决的一系列连续生产质量控制维修更换部件成本等等一系列问题。从工程和经济角度说，这个装置已经成功了！

asml euv 体积也很大 ，还有不时更换反射 镜片 ， 总体造价相当昂贵 相比ssmb 价格 不算高

自媒體更需要公正 不偏頗的報導,才能吸引更多的讀者

哇。超棒的分享

很好很专业。

感謝增補

電子束應可利用導入高介質系數介質縮短波長

加油💪！

自行研發才珍貴!

這是蠻早以前的技術，通常是要透視較厚的物品而使用，當然還有其他應用

中国目前是多路线并进，传统EUV路线光源是长春光机所和哈工大负责，也已经通过验收了！国力强大就是好，各种路线都有实力玩！不像公司基本上人力物力只能赌一条技术路线

這個所謂的SSMB並不是什麼新技術，也不是最近才出現的，ASML早在10多年前就持續研究過SSMB用在曝光的可行性，結果就是行不通，不要以為ASML是傻子般不懂這個SSMB。 在2018年日本，中國清華大學，歐洲，美國都有相關SSMB用在半導體EUV曝光應用研究，結果都是不可行，其優缺點總結如下: 1.同步輻射源的EUV能量強且穩定 2. 一部同步輻射可以同時開多個EUV光源射出 3. EUV能階可以穩定改變 但是SSMB的缺點卻是更多，且有些事根本無解的問題，進而導致其應用在EUV曝光上變的不可行: 1. 同步輻射設備體積超級龐大，就是最新直線加速器起碼也超過公尺，更大型的環型同步加速器則直徑更是超過百公尺，所以你是要把半導體廠設在同步輻射中心，還是要把同步輻射中心設在半導體廠內? 2. 同步輻射的輻射危險性非同小可，安全性防範非一般工程可以做到，建造成本超高。 3. 超級耗電 4. FOV太大，會大大影響曝光的品質，不要忘記ASML EUV的光源可是打微小錫滴的點光源。 5. 不只是光源，重點是光源到光罩，再反射到晶片上，一路有10個反射鏡及最終Cassegrain反射鏡組，這些要如何設置? 沒有這些反射鏡組，你就是有在多的光源也是沒用，而這些鏡組全世界也只有蔡司能做出來。

找到新的高能電子束來產生高能量EUV, 確實是有效的方法, 很高興有基礎科學家勇於嘗試, 也希望能儘快與製程工程專家合作, 設計出適合商業製產的整體流程於結構, 讓研究與技術加速進展。 我是中國台灣居民, 知道, 雖然中國台灣的製程技術(台積電)很棒, 但台灣是沒有能力研發半導體生產機器的(不管是傳統或是新的光刻機) 兩岸同胞各有專長, 合作必定有力量

講得這麼專業，鴨子聽雷，減短明白就好。

只要原理验证可行，剩下来的工作就是产业化落地各环节拼突破。跟原子弹一样，首先原理论证通过，剩下来就是海森堡与奥本海默两个团队pk谁能更快真的造出来原子弹了

或許中國已經另闢蹊徑。 為了保護相關廠商及人員，當然絕對保密，不公開方法

這是否真與假，看你是在什麼人的立場，如果是台灣人，那肯定是假的。

甚麼光不重要，講了那麼多，究竟華為手機裏的高功能晶片是哪裡來的?

其實我更想了解的是碳基芯片。還有光量子芯片！現在是在變革的前沿！

中國建這個新的SSMB可能都還不是為了要造極紫外光刻機，應該只是學術研究的需求~!個人看法老共應該不會把資源浪費在別人成熟的領域(極紫外光)，擴大成熟製程的產能及自主化跟趕超第三代半導體材料應該才是主軸~!

这是未来技术储备，此外突破的有中科院的高精度弧形反射镜系统（21.7），华卓精科的干式双工件台与浸液系统（22年底），哈工大的激光干涉仪（22.12.3），长春光机所的EUV光源工程样机（23.4.13）

综合网上的信源，总结了一下： 这整 个的方案据说是杨振宁提出来的，然后去德国利用他们的设备进行了验证，中国可是一直在进行高能物理和电子对撞机研究的国家，本来还想上更大的对撞机，被杨振宁拦下了，说中国还没富裕到有那个闲钱的时候，不值当，所以做这么小型的加速器真的是小菜一谍，合肥的那个核聚变约束环，比这个也高好几个档次，做这个真的是没什么难度，今年三月已经在雄安正式签约开建，这说明技术上已经 没有障碍，开始正式的工程建设了，这没什么须要质疑和讨论的了，这个装置解决了光源问题，但是是比阿斯麦更牛的光源，功率、光的“纯度”、波长都全面碾压，据称，光学系统可以更简洁高效，阿斯麦的光源，是用激光照射锡雾产生的，其产生的光是杂乱的，要“提纯”，损失很大，所以最后的功率受限，波长也就到极紫为止，但我们的这个装置可以同时产生多种波长而有序的光，从不同部位引出不同波长的，最短波长的比阿斯麦的更短，这种专业的东西，似是而非的最容易糊弄人，比如这位，就象前阵子将7NM吹得神乎其神，中国要一步一个脚印，没个十年都 不可能的论调一样。 光源解决了，还有透镜组、双工件工作台、光栅测量对准等，大多也都有了着落，剩下的就是系统集成的事了，这些肯定是在同频推进的，以中国人遇到这种事会拿出拼命的精神来做的一贯作风，个人以为，不超过三年，必定会全线贯通运行！

謝謝曲博

我台灣人,在科技商業經濟發展上為中國加油, 人類的各項活動科技發展不該受的限制壟斷,影響人類的各項可能...... 就如比喻..... 電玩如果只有從以前到現在只有任天堂獨大壟斷市場的話.... 那電玩界豈不是沒有其他樂趣與可能.....

對岸厚積薄發：埋頭研究的你看不到！你看到的都是很薄的很薄的發表！最頂尖最先進的科技落後的其實已經不多了！大部分都追上！而且有不少部分都領先！光、量子、人造氨基酸、先進燃料、碳材料…

讲解很好，我觉得进步是一点一点来的，一步一步来的今年突破光源问题，明年别的研究小组也会推出成果的，就像华为不仅在EDA设计软件上，在芯片设备上，在芯片原料上，在7纳米制造工艺上，在卫星通信等都突破了！一步一步的来。我觉得稳步发展一定可以.

作为外行，基本了解了原理。感谢作者！有个小疑问，文中没有介绍镭射共振腔的原理。为什么电子储存环要用这个装置？它是怎么起到微聚束的？

曲博真的是非常難得的科技博主，其專業一般人無法望其項背。 但希望曲博能把艱澀難懂的科技知識，以生動有趣的方式表達最好還能有一些生活中有的例子或狀態解說。 不然我每次都會忍不住睡著，不好意思ㄚ，曲博。😂😂😂

SSMB是另一條賽道，具有更高的功率與短波長光源上限，所以這不是彎道超車，而是換道超車。事實上中國大陸這方面的研究是多路齊發，LPP已經立項接近20年，樣機也完成了，包含聚焦光路(反射鏡套件)，這是人才規模優勢。

還是有人再說什麼7m的? 說完了沒有? 先要分清楚的是在半導體用的曝光機波長可以分成 1. KrF 248nm 2. ArF 193nm， 是指一般型的DUV 3. ArFi 即所謂的浸沒式 (Immersive) DUVi曝光機，是在原有的DUV 193nm透過液體改變波長193nm到135nm，目前僅有ASML與Kanon有機台，而相關關鍵專利也是在這兩家手中。歷年美國商務部都有到大陸相關廠商檢查是否有違反專利，或是侵犯美國技術。 4. EUV 13.5nm w/ 0.33NA 5. 2025年量產的 EUV 13.5nm w/0.55NA 想要做出7nm製程僅用一般型的DUC 193nm是做不出來的，那怕是你買了ASML，Canon幾萬台一般型DUV 193nm，你也只能做出一堆渣出來，所以不懂行，亂打雞血的說大陸事先已經買了N台一般型DUV，就是要準備在7nm大幹一場的，你XD可以去睡了，夢理什麼都有! 印為近的就是DUVi曝光機，而不是u一般型的DUV 193nm。一個價格是7000萬歐元，另一個只有3000萬歐元，能等同嗎 ? 接著我們再來查看台積電在2018年製作7nm N7時的曝光使用情況，因為左岸都說是抄台積電的N7，所以用台積電當年獨步業界的N7製程，對照中芯7nm應該是有相對客觀性的，也不會有人會認為我有先入為主看扁中芯的意圖吧! 首先在台積電N7製程中總共用到的曝光光罩，可分成 1. 42層 等效135nm的浸沒式DUVi 曝光機 2. 30層 一般型DUV與ArF曝光機 其中最重要，精密度要求最高的電晶體本體與Mx層導線部分，都是採用DUVi，透過自對準雙重成形SADP (Self-aligh-Double-Patterning)與雙重曝光(DP)技術完成。而在每一層曝光完成後，後面接著還要做蝕刻，沉積，CMP等一大串重要的主程序，不要以為就只有曝光機的事，懂嗎? 那為什麼台積電在隔年卻選用EUV取代部分原先用DUVi做的最精密曝光程序? 為甚麼? 下面我就做進一步的說明。 台積電在2018年是採用了SADP與DP技術，而在2019年改用了5層EUV曝光取代的原先10層DUVi曝光，並將整個光罩數量縮減到67層，看起來縮減的不算多，但是你只要往下看下去你就知道差異是有多麼巨大! 台積電N7 SADP+MP有關的主製程可大略分成: 1. 沉積Photo Mask。 2. 曝光顯影。 3. 削薄(Trim,還記得侃爺以前報導過的應材削薄機，被Intel吹到天上去的那台)，and/or 二次曝光顯影，增加特徵密度。 4. 蝕刻Hard Mask 形成導心軸(Mandrel)，此導心軸的尺寸與底部位置就會決定最終半導體製程所需要求的位置精度，此處作不好就絕對是死路一條。 5. 沉積Spacer 6. 蝕刻部分Spacer，在導心軸兩邊形成所需尺寸Spacer。 7. 蝕刻掉Hard Mask 導心軸。 8. 沉積Block Mask。 9. 蝕刻出底層所需的特徵溝條形狀。 10. 蝕刻掉Block Mask與Spacer， 台積電用EUV則僅需下面兩個步驟，且精度更是比用DUVi高出一個等級。 1. 曝光，顯影 2. 蝕刻底層最終特徵溝條。 台積電用5層EUV的N7+製程取代原先N7的10層DUVi，整個算下來，可以省下超過100道以上的主製程，這對節省成本，增加產能與良率，影響至關重大。主製程數量越多，良率就越差，這在半導體製程業界是不變的常理。 對照EUV與DUVi SADP+DP製程後，以中芯那種抄個半調子的能做出什麼水準的良率? 更不要忘記良率的高低是與品質可靠性成正相關的關係，良率越低則品質可靠性也越差勁，成本就更不用提，早已高到天上去了。不懂的SX你就繼續吹吧! 在對比華為手機裏的散熱片尺寸，內行的一眼就能判斷出，華為不是用高頻就是中芯晶片的漏電量有問題，這又牽涉到進入7nm時的另一道技術關卡，即Ids vs. Vgs圖。 在各家半導體代工廠都一定都會公布其各製程相關的PDK，而在PDK中必然也會公布各製程的PMOS與NMOS的至少4個Vt及其斜率。中芯有公佈嗎? 還是藏拙不敢公布? 這次被禁的就是DUVi曝光機，再說一次，你就是買再多的一般型DUV用在做7nm，也只會做出一堆渣來! 現在只能用有限台數的DUVi，再加上SADP+DP製程，你的產能就會被當場牢牢地給限死，而良率與品質可靠性也會變的極差，用政府補貼撐住成本終究會有一個限度，因為3000億RMB有超過上千家晶片相關公司要分，那夠? 更重要的是你現在勉強用上7nm，而其他競爭者都已經開始要用3nm AP晶片，現在連別人的車尾燈都看不到，你是要怎麼追? 目前用72層DUVi光罩做7nm已經用盡了吃奶的勁，下一代5nm先不論精度根本就達不到外，假設光只使用DUVi曝光，那個光罩數就要超過90層以上，比別人用EUV會多出200道以上的主製程，那成本不就是飛上天，而良率則會下到地獄去!

ASML的EUV光源，不仅功率小（低于250瓦），而且波长较长（仍属于紫外线范围），因此，加工3纳米晶片勉强可以，但3纳米以下晶片的加工会很困难。稳态微聚束（SSMB）设备，虽然占地面积大，但可以同时产生数个或十数个远超EUV光源的光源（波长更短，功率更大，更稳定），也就是同时支持多个或十多个性能远超EUV的光刻机，亦即超级“光刻机群“，如果再积聚先进封装设备，那整体占地面积和各类成本，都比同样数量的台积电EUV半导体代工厂要小很多！大陆面积大，要建设这样的半导体工厂集群，不是问题。😄

如果是基於已有的路線去研發，中共國是絕對辦的到的。但是要開創新的道路，重新建立一個新體系，我不認為一個黨永遠正確的體制能辦得到，因為自然規律可不會聽黨的話。

我就是做光路研發的,我很清楚那是什麼不!! 知道多少人可以聽懂那句....我們應該害怕的,是說半導體不存在彎道超車的那個人 我在產業三十多年,真的很難看到願意講實話的, 極極極少數, 還好這裡是言論自由的,也是這裡真正唯一的優勢

光刻机的研究早就分解成几个部分同时研究，不可能是一样的来。芯片应该是取得了重大突破，不然华为的5g芯片从何而来，肯定不是台积电和中芯国际代工。

我的淺見是, 這個技術一做出來, 就會改變整個CHIP的生態... 這個建築基本上就是一個小型的Large Hadron Collider, 要能收支平衡, 每次一定要做大量的CHIP... 就是說萬一量產, 中國就會把全世界的CHIP生產都打到地, 因為小小的ASML EUV機無論如何都不能做到這麼平宜... 到時候你要28nm都好, 中國照做個4nm給你, 因為他要量, 而每片CHIP造價實在太平宜了.... 至於什麼時候能量產, 我小小一個土豆當然不知道, 但要知道現在整個中國, 上由共產黨, 下到每家CHIP工廠, 都把突破CHIP科技定性為生死存亡的大事, 在人力物力全身投入之下, 很難說要多長時間.... 上年聽曲老師說中國能用DUV做出7nm, 我已知道華為會回歸, 但我絶猜不到今年中國已經能量產7nm.... Intel今年才能量產7nm好不好, 這個真是進步神速!

如果一个SSMB系统相当于几十个AMSL光刻机，算下来应该要比买ASML划来

空穴來風

你現在說的事情，是7年前的事，現況是怎樣？你也不知道，只會猜說 “還有很遠的路

我認為中國要做個穩定的光刻設備也沒有那麼複雜。也不需要做一個光刻廠。就是正正常常做大一點的設備就好。不需要ASML光刻機的小和複雜，也不需要光刻廠那麼大的投資。反正就是一個固定的設備。怎麼容易怎麼來。就是一個光源。很多時候可能也不過是中美雙方演戲而已。

希望可以弯道超车

艾司摩爾的EUV是一個廠房的大小，這個穩態微聚束的極紫外光產生就需要一個廠區的大小。

路遙知馬力，日久見人心，希望美國加大制裁力道，完全不要讓中國使用外國專利技術，一點都不要放過，這樣中國就能證明他們的技術是原創的~~~

大家好像誤會了一件事，雖然清華大學教授發表了新的光源「可行性」實驗報告，但並不表示未來只有中國大陸可以使用這種光源吧？ 既然論文公開發表了，世界各國應該都會跟進研究評估，不是嗎？如果各國認為可行，大家都可以朝向這個方向發展，未來誰先弄出一個商品化的光源廠，還很難說。

2021年的实验，大陆还有什么技术未被曝光？

連一個鏡頭都磨不好，還想集束光刻，那可以想像那機台有多大台

科技的競爭每天都在發生，落地應用才是真的，大外宣大內宣都是搏眼球

超條毛呀❤❤❤😂😂😂🎉🎉🎉

如果成功而建立EUV光刻廠,這會改變半導體的產業鏈~~~

社会主义的集中资源办大事是战无不胜的。因此，中国必定能造出更好的光刻机替代仪器与设备！

説什麽也好，2023年華為已做出了7納米非多重曝光的芯片，這不是未被禁售的DUV光刻機能做到的，ssmb也未出來，現在華為底牌是什麽也不知道，未來兩三年很可能還可以更進一步。而且很重要一點是，之前人們以為9000s是不能大規模量產的估計看來也落空了

asml的极紫外光是通过激光轰击锡原子，电子跃迁后跃回而放出的光子，集中于极紫外光谱，经过反复滤波，获得13.5nm极紫外光，再经过反复聚焦得到可以进入加工2nm的光源。这几乎是现代工业最高集成。但是ssmb的路径不同。理论上它通过加速器可以获得从光到x射线的所有光谱，并通过稳态微聚束技术，分离出所有需要光谱区域。稳态微聚束是通过电磁控制来完成的，这要比滤波，聚焦的技术要求简单多了，效率也高多了。仅就加工晶片来说，理论上ssmb超越asml的EUV是理所当然的！仅就ssmb能直接调出x线的1nm波长，就不是asml的euv可比的。

想多了在現實還是夢

第一 中國開發7n電子很不簡單但是更可怕的是中國的第四代半導體的技術它是以量取勝 台灣是只有兩家是以質取勝更可怕的是第五代半導體鉍領先的台灣沒有 第二 台積電先進製程2n還要前進到極限是0.2E就可以解開夸克理論可以製造粒子發電機

euv有三条路线并行研发

台積電出身的梁孟松帶走一批工程師投靠中芯，並協助華為，只是比較辛苦，他們這群根基深厚的底子，總是有辦法可以想及試煉，會成功也是可預見的，作出來的晶片，也只適用於其國內。

曲博士 前幾天網傳中國EUV光源被製造出來了，感覺是他們在拱趴。今天我在大陸的長春光機所官網看到一則公示，EUV光源的研究團隊被提請了大陸國家科技進步一等獎的申請。據我所知這個獎項是大陸在科技方面的最高獎項哦。如果是這樣的信息相繼曝出你判斷大陸是否大概率會在2-3年內搞定EUV光刻機。

SSMB覺得類似LHC，應該需要消耗很大的電能。

科学技术是不以人的好恶而进步或者倒退的。而人的好恶却会影响对于新的科技的解读。与君共勉。

8:44 波盪器 Undulator

感謝中國科研對人類的貢獻，期待有抄中國技術的一天

东莞的第4代同步辐射是2010年左右开建的。

閃電俠也是因爲這個環嗎

我只能說…留言很有趣

理論寫在紙上，要怎麼寫都行，做不做得出一回事，就跟有人發明不用火箭去月球的技術，就是做一個長達月球的梯子，爬著就能到月球，理論上是絕對可行的，理論上。

以一国之力突破不可能👍

惯性思维，光源现在已经走出了与asml不同的路线，那微影系统以及各种反光镜为什么要跟asml一样？所有人都明白，以现阶段大陆的技术跟在asml的技术路线后边是不可能走通的，那有没有可能用别的办法，比如这套光学系统可以很大很笨重，无法移动，无法出口到别的地方，但是它管用，为什么我们要达到asml又小有精密的那种水平呢？asml总裁说过，中国人可能想到我们以前从来没想过的技术方案

這本來就是另外一條路。不是只有極紫光而已。

中國加油🎉

就等 中華人民共和國的相關產品， 如Hawai 的新手機 及此光刻機於國際市場上來上市， 拿來實測 就知道....

儲存環可以有很多出口的話, 不是等於可以同時供給很多曝光設備使用? 這樣下來, 成本會高到離譜嗎?

客观！详实！

小問題，衹要能夠實現，我相信大陸什麼技術都可以去研發，各種技術流都會去發展，畢竟祇有小國才做選擇題，大國全都要

只是提出个技术路线，距离实用早的很，指望这个不如指望清华的碳基半导体突破。。。

Mate60产品都上市大卖技术领先A17了。 两岸最大的差距在于志气格局能力，台積电除了人，都是原装进口，言必称美欧日，跪久了都站不起来了

中國加油

最近传大陆的光芯片遥遥领先 快量产了 有机会能说一下光芯片的原理 跟中美差距吗？

欸！老師忘了大陸手工打磨師是奈米製程的。