中国芯片「换道超车」？靠的竟然是在玻璃上打孔！ 

頭一次覺得大劉在講自己完全不懂的技術 首先，“封裝”是一個上下游分工的行業，從晶圓級封裝（WLP）到一級封裝到PCB總裝，使用的技術完全不同（原理相同，實現原理的設備和材料不同） Glass TGV屬於晶圓級封裝的一個技術，但它只是，也只能是，晶圓級封裝裡的一個特殊應用，它既不能fanout也不能fanin，並不能做為die的"inter"poser，因為interposer是要能實現"die之間的通訊功能“，而glass wafer + TGV只能讓die向下一級基板通訊，唯一常見的應用只有作為die carrier來簡化一級封裝 Silicon interposer或RDL（有機化合物做的redistribution layer，和interposer功能一樣）有”橫向電路“，甚至你可以用半導體製程做一些被動元件在interposer裡，所以它整合了承載的所有die成為一個較大的整合型flip chip，所有封裝在interposer上的die合併起來對下一級基板通訊 沒有die interconnect，這個封裝體甚至不能被稱為2.5D，和3D就更扯不上關係了 ”基板“，在半導體封裝行業，大多數情況下指的是一級封裝時，flip chip使用的IC載板，絕大多數IC載板是BT或ABF（都是日本技術），你要用glass來做IC載板，同樣會面臨的問題是它只能直上直下通訊，沒辦法擴大connection pitch，而IC載板存在的原因之一，就是把die的conneection pitch擴大到SMT所能處理的程度，不然你直接把die放上PCB不就好了？ 綜上所述，glass wafer tv根本對現存的封裝技術完全構不成挑戰，只是特定情形下的有用低價替代品而已

看到標題讓我嚇出一身冷汗，看完內容之後讓我嚇出滿地口水

從先進封裝下手是一條正確的技術路徑。

不管领不领先，技术是要时间堆积的，有在努力肯定会有成功的。

多谢讲解这个技术和应用。明白了主要在于小芯片的三维堆叠封装，算得上比较大的技术改进

每次看到超車這種言論我都百思不得其解 中國已經有國產台積電了 為何需要超車 現在需要的是更強力的購買國產晶片 讓台積電在世界能一直領先 所以別再說超車了 繼續保持第一😊

能不能超車還是要看製作成本 如何在幾年內達到量產超車才有意義 但是有新突破總是令人開心的

看大刘的视频和看新闻联播一个效果, 中国每个星期一个突破, 每个月一个超车

弯道超车，超过去拓海，超不过填海

相當中肯，客觀描述中國哪方面做得好,，同時對狀態及局勢不作自大。期主拍一集 proton 花片。

你每一次都是一惊一乍的。

语言清楚，听者明白。谢谢大刘

這個我懂，中國只要有打磨掉晶片上商標的科技，什麼樣的晶片都能研發成功😂😂😂

玻璃就是二氧化矽，就是製程上加氧，就是現在的製程技術。 重點是開孔

如果不能提高單體晶片的電晶體密度，就算再推疊多層小密度的電晶體晶片，其耗能發熱量就是難以克服。

這個就是面板驅動IC的封裝技術， 實際的侷限是線寬線距比不上 silicon .

国内耸动的科技新闻多的去了，最后没见一个能成行的🙃

說了半天應該是指晶粒的封裝技術，與晶片技術沒關係，而這也應該只適合使用中低階晶粒，主要是降低成本而已，還談不上技術超車吧。

說得非常中肯，中國現在還需要靠勤能補拙，在多個維度為新片核心技術突破爭取時間。

这么好的技术，千万别被老美偷走了😅

韩国也在研发。激光打孔

不就是基於玻璃瓶面的封裝技術嘛...... 群創3.5代廠都在做了 這東西就是扇出封裝技術.....這TSMC搞得已經多少年了 現在進化到Cowos的更整模改版本....(這就有3個版本)還有InFo.跟TSMC-SoIC 現在製程微縮的瓶頸不是線寬(nm)....而是裡面的記憶體電容方面佔太大 導線部分導入晶背供電跟矽光子傳輸....這樣又可以朝1nm以下前進 有一個智能障礙的~!叫jones wang 鄭天吹東吹西~哪個說得準? 到1.4nm以下 TSMC才需要Hi-EUV intel跟三星根本吃不透EUV機台應用..... 兩家連DUV都卡在14nm之後良率就很慘了......TSMC自己搞出一個DUV i 可以到7nm(第一代7nm).... 發神經才買剛出爐的新機台享受BUG..... N2P就能打你18A滿地找牙.....更不用說TSMC的A16晶背供電也上 2025年2nm量產.....2026年A16量產 季辛格已經承認新CPU......注意....是新CPU....會使用TSMC製程 他的美國工廠一定會建好騙完補助就分拆.....只比中國的騙到錢就蓋空殼建築強一點 1nm之後就是CFET時代.....還有TSMC會在3nm改良新記憶體(N3S) 去看一下三星.intel.TSMC的晶體密度就會發現....最大的問題就在那記憶體電容上

张继华教授 的第三代 tgv ,打的 孔直径应该是小于5微米

要两条腿走路，封装和制程都要更进步

好奇目前TGV 技術 在實際應用上會遇到的困難 是否有解決了，或是解決到哪個部份了 期待發展 例如 面對 機械應力：加工過程、熱：膨脹係數問題、封裝壓力、震動和衝擊

用微米技術超車奈米，真是太神奇了👍👍👍👍

夏蟲不可語冰！遙遙領先!

冰刻机呢？

放了一堆的屁，没一个以希望的，都是概念炒作

这周玻璃基板概念猛涨，真有前瞻性，早看到埋伏怎么也吃个板，而不是挨个板子

單晶、微晶陶瓷、玻璃體 到底是sio2 al2o3 怎麼跟single-crystal silicon有不一樣的電器特性

以后芯片可能是一个正方体，然后手机也会变厚？

那能把cpu和io叠起来吗？省掉if总线？毕竟电压和发热都不是瓶颈，说到底封装技术的好坏，要看良率要看成本。

超車、超車、超車….講著不累，聽著都流汗了

容我說一句，遙遙領先~~~

现成的技术通常是之前的技术条件下的最优方案，被封锁了那就要寻找次优方案，在现有的技术条件下，也许并不会比之前的技术差多少。资本家投资开发新技术是为了赚钱，高利润的钱。钱没有赚够就不会推出新技术。

聽了好久，你論述的主題原來是玻璃

先進封裝每家都在做，並結合了自家的製程做驗證，這才是有意義的，現在全部都換道了，中國只有不換道更落後，哪有換道能超車的可能，全部都在這車道的前面了，中國還是看他國車尾燈而已。

真的超車了，出了個手搓晶片。😆

教授的话不能信

如果有注意到他所說的是微米技術，這個世界以進入奈米世界與埃的世界了，應該說這位大叔說的沒錯，只是將20年前的東西在拿出來說

说了半天，没有说明白。第一，3D堆叠在SSD芯片上不是早就实现了吗？如果你说的是封装的时候搞芯片玻璃三明治，那和加大芯片面积有啥区别呢？而且每层芯片的散热都是问题。央视采访再怎么说得天花乱坠，都不及发同行评议的论文，更不及产业化。

SiO2 不是新材料,提高封装密度在主流制程中也在快速迭代, 与换超车无关. 半导体切忌闭门造车.

佐治亚理工的Rao Tummala老教授才是玻璃基板的祖师爷,这是美国人二十年前的技术了,一直推不起来.玻璃的优点很明显,绝缘,散热性能好.但是太脆了,机械性能阻碍其应用,还有开孔的难度. 都是老技术了,不算换到超车.

技术超车跟工艺超车，是不同的概念，技术在实验室，工艺在制作过程中改进，就像老师傅的密招，中国是制造业大国，用工艺超车是必然的，技术可以慢慢赶上，但是没有工业生产能力的美国，只能一直在技术上面加强，但是中国现在也卷技术了，而且科学家卷的24小时日夜倒，未来老美舒服日子一去不返了。

过去无数次的事实表明，这多半又是一个骗钱的磨砂汉芯。每个星期一个突破, 每个月一个超车。厉害了，我的国！

台積頭號判將呢？ 😂

荷蘭的ASML公司 , 原本是名不見經傳的小咖 , 遠遠落後日本和德國的大廠 , 他之所以能成功 , 是因為結合了台積電 , 台積電各種最新的技術在ASML的光刻機上實驗 , 讓他練出一身真本領 , 若沒有尖端科技的配合 , 自己盲目摸索 , 很難有大成就的 .

关键还是Silicon Die, 不认为光凭这个就可以超车

这集的时长，好像不是油管鼓励的，你应该研究一下有关的收入政策，提升油管收益

太炸裂/不得了了

这个号和那些营销流量号的区别是什么？看这很专业其实啥都没有说

玻璃的问题是热胀冷缩后会出现软化。当年的IBM的玻璃基质的硬盘就彻底失败了。

玻璃不是硅（矽）吗😅

“能否实现弯道超车是值得期待的”

保持耐心繼續看進一步科研結果

1微米(10^-6 m)=1000 纳米 (10^-9). In Theory, Theory and Practice are the Same. In Practice, they are NOT.

用玻璃会不会导致很容易断😂

大刘的内容也听了一年了，有些还可以听一听，也加了动画好很多，辛苦了。但是最近发现标题和角度有点奇怪，是为了流量吗？（在抖音上我可以理解，但是来这里还是这个角度就…）这样就不太想继续听下去了…可惜啊。

如何做出那種極純的玻璃，你們要先搞定。

超个毛线，很多技术细节都是一步步积累的经验，没有雄厚的技术积累凭什么超车，就像一个简单的机械铁架新厂商遇到铁架卡的问题都折腾好久还没完全处理

正確心態，這樣才是厲害了我的國。不要再把山寨行為合理化！

彎道翻車、換道翻車，結果都是一樣的

永遠都是彎道超車 換道超車 都說了好幾年了，到底要不要超啊？

玻璃不是二氧化硅吗

现在2~3纳米基本就是到技术顶了,我们已经差不多可以做到5纳米,慢慢来,时间在中国一边,花个3~5年,中国突破2~3纳米技术是大概率的事

明明就是逆向超車

這種封裝技術, 臺積電早在10年前早己完成, 目前正在大爆發量產. 臺積電的 CoWoS, 就是先進封裝技術, Nvidia 的H100, B200..就是使用 CoWoS 封裝而成, 一個 B200 CoWoS芯片約有2500億電晶體, 在AI風潮的當下, CoWoS 芯片供不應求,臺積電忙著找地蓋 CoWoS工廠, 中國根本無法 "換道超車", 從後面跟都很難追得上, 技術差距是越離越遠, 連車尾燈都看不到;

彎道容易翻車。 換 梅大 親自超車。

这完全算不上是换道超车吧

多晶矽跟二氧化矽是兩個不同的東西.......

我記得玻璃片好像是做不到硅片那麽薄啊

中國台積都全球市占第一，超過六成市占，超車是要超到火星去嗎？

再怎麼封裝，也只能撐著一時，最終還是要原CPU要一直昇級，揮灑空間才大。

别人摔手机是碎屏，你摔手机是碎芯片

超車啦，哪次不超車。

遥遥领先

彎道超車，彎道換車，彎道翻車，花樣真多

矽穿孔大家早就都在做了啦😂

不看好这项技术，我不算很懂，但听起来像为了集成更多元件，使用多层叠方案制造芯片，不过这个方案却有个严重问题：生产成本估计也高得很恐怖。 试想在5纳米的制程制作1乙元件的前提下，用7纳米的制程起码也得两层或以上吧？也就是说5纳米制程能一个流程做好的芯片，你必须走两个以上流程才能完成，这还没算在这两层芯片之间加入打孔玻璃的工艺成本。 想超车，恐怕只能在梦中。深度怀疑这又是一个骗经费的手段。

我们成都的？

中國要以玻璃打孔技術來換道超車 , 就像餐廳發明了別人沒有的高級餐盤 , 可惜的中國做不出一流的大餐 , 就靠餐盤能吸引顧客嗎 ?

這不是intel路線嗎😂 笑

底下一堆拼命酸，然後一看多數大概沒看明白視頻的內容，或根本只看結尾說是封裝技術突破，這也是我一直想跟大劉講的，用專業解釋專業是不行的，一定要善用生活化的比喻，否則你的受眾就只有專業人士 這個所謂的突破，打比方來說就是當大家比拚的都是如何在更小的平房裡塞入更多家具，中國卻換了個技術在這平房裡蓋了夾層，自然就不用刻意刻意縮小平房面積，同時還多了更多放家具的空間，而這個蓋夾層的技術暫時又超前其他的企業，整體的芯片效能超不超車不知道，但如能實現商業化，至少能說追上的可能性不小吧 不過還得說，畢竟相對於更換把矽晶圓換成其他材料，玻璃打孔還是簡單一些，真正要做到超車，大概還是要在材料上達到突破

土法鍊鋼？

碳基芯片，光电子芯片，量子芯片....下一代民用到底是什么

全民磨晶，摇摇晃晃领先

长期来看还是要弄euv，不是技术路线问题，是背后的基础研究和产业短板你不补起来不行，不过中国好就在够大，不用选路线，所有路线所有方案全部都要做

原來偽大的中國 在彎道摔車後 直接甩出車道直接變換道了 在未來沒能’’換道‘’可能就變 “不知道”了😂😂😂😂😂😂

在半導體領域，想靠某個點技術實現所謂的超車。基本上都屬於意淫耍流氓

換道超車，哈哈哈哈。

这是纯扯淡，因为核心的技术都是我提供的，别说20:1，200:1我们也能做到，我还是倾向下面有位老哥说的，不能靠某个技术点就能超车，道阻且长才是现实。

發覺以後不懂用萬能表測量三極管，二極管的人不要高談闊論芯片，半導體。

用嘴巴超車是一等一的高超技術

呵呵呵。

散热是大问题啊 以后芯片是个立方体

希望能在燒完錢之前 有個好成績，不然就是災難性的後果了⋯⋯

中國已經有台積電了，台積電是世界上最先進的半導體芯片公司，已經是世界第一了，連英特爾及三星都比不上，中國為什麼還要彎道超車呢？既然有國產的台積電一定能跟美國叫板，為什麼中國不威脅美國呢？中國可以跟美國說假如你不乖，我就叫台積電不發貨給蘋果公司，假如蘋果公司沒有台積電的芯片，那就玩完了不是嗎？為什麼中國要對美國那麼仁慈讓美國大小聲的制裁中國的芯片，中國可以跟美國說台積電可是我中國的公司，你美國的科技公司所需要的芯片都要靠我中國的台積電提供芯片，中國用台積電制裁美國就可以了，美國一定會怕的，因為台積電可是全世界能製造出最先進的芯片公司，中國該反擊了，台積電是中國的，這是中國官方說的話

遥遥领先，不得不服。当年能水变油，如今能玻璃打孔。换道超车，秒杀欧美。牛！

能不能顺嘴说一句那些上市公司涉及TGV，谢谢！