Neste vídeo vamos falar das diferenças entre MOSFET e IGBT em eletrônica de potência? Quando usamos cada um desses transistores nas aplicações de eletrônica de potência? Quais as limitações? Vamos responder tudo isso no vídeo e ainda vou explicar sobre os componentes SiC e GaN que vão dominar o mercado no futuro próximo.
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Capítulos do Vídeo:
00:00 - Introdução
01:32 - Características do transistor MOSFET
04:05 - Características do transistor IGBT
06:54 - Semelhanças no acionamento de MOSFET e IGBT
10:36 - Características de ligamento de MOSFETs e IGBTs
11:46 - Características de Desligamento de MOSFETs e IGBTs
13:46 - A origem da corrente de cauda de IGBTs
15:15 - Limites de tensão e corrente de MOSFETs discretos
18:00 - Limites de tensão e corrente de IGBTs discretos
19:41 - Comparação de desempenho de MOSFETs e IGBTs
22:19 - Novas tecnologias de transistores - SiC e GaN
23:00 - Comparação de desempenho de MOSFET SiC e IGBTs de Silício
26:08 - Comparativo de características de SiC e GaN
29:38 - Porque conhecer os transistores SiC e GaN é importante?
30:56 - Onde os MOSFETs e IGBTs podem ser aplicados em eletrônica de potência?
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O Professor Thiago de Oliveira é prof. Adjunto do Departamento de Engenharia Eletrônica da UFMG, uma das melhores instituições de ensino e pesquisa em Engenharia Elétrica do país e membro gestor do Grupo de Eletrônica de Potência da UFMG, um grupo de pesquisa dedicado à pesquisa e desenvolvimento de conversores estáticos. Com mais de 12 anos de experiência em ensino de eletrônica, o professor Thiago trás uma visão didática dos conceitos de eletrônica, de modo a passar o conteúdo necessário, sem contar a história pela metade, mas de forma descomplicada.
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5 авг 2024