Super testeur qui permet de tester la tension de claquage des composants. La tension de service des condensateurs la diode zener transistor bjt mosfet igbt
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❤️ VCEO est l'abréviation de "Voltage Collector-Emitter Open circuit" en anglais, ce qui signifie en français "Tension Collecteur-Émetteur en circuit ouvert". C'est une spécification importante pour les transistors bipolaires à jonction (BJT). Le VCEO représente la tension maximale que le transistor peut tolérer entre son collecteur et son émetteur lorsque la base est ouverte, c'est-à-dire lorsqu'aucun courant ne circule dans la base.
❤️ Le terme équivalent au VCEO pour les transistors à effet de champ métal-oxyde-semiconducteur (MOSFET) est généralement appelé VDS, ce qui signifie "Voltage Drain-Source". Il représente la tension maximale que le MOSFET peut tolérer entre sa broche de drain (D) et sa broche de source (S) lorsque la grille (G) est correctement polarisée.
Ainsi, pour un MOSFET, il est important de respecter la tension maximale spécifiée pour VDS afin d'éviter tout risque de dommage au composant. Comme pour le VCEO des transistors bipolaires, le VDS des MOSFETs est une spécification cruciale lors de la conception de circuits électroniques pour garantir un fonctionnement fiable et sécurisé.
❤️ Pour les transistors bipolaires à grille isolée (IGBT), la spécification équivalente à VCEO ou VDS des transistors bipolaires ou MOSFET est généralement appelée VCES, ce qui signifie "Voltage Collector-Emitter Saturation". Cette spécification représente la tension maximale que l'IGBT peut tolérer entre son collecteur (C) et son émetteur (E) lorsque le dispositif est en saturation, c'est-à-dire lorsqu'il est pleinement activé.
Il est important de respecter la tension maximale spécifiée pour VCES afin d'éviter tout risque de dommage à l'IGBT. La conformité à ces spécifications garantit le fonctionnement fiable du composant dans les applications pour lesquelles il est utilisé.
❤️ VCEO is the abbreviation for "Voltage Collector-Emitter Open circuit" in English, which translates to "Tension Collecteur-Émetteur en circuit ouvert" in French. It is an important specification for bipolar junction transistors (BJT). VCEO represents the maximum voltage that the transistor can tolerate between its collector and emitter when the base is open, meaning no current is flowing in the base.
The equivalent term to VCEO for metal-oxide-semiconductor field-effect transistors (MOSFETs) is generally called VDS, which stands for "Voltage Drain-Source." It represents the maximum voltage that the MOSFET can tolerate between its drain (D) and source (S) pins when the gate (G) is properly biased.
Therefore, for a MOSFET, it is crucial to adhere to the specified maximum voltage for VDS to avoid any risk of damage to the component. Similar to VCEO for bipolar transistors, VDS for MOSFETs is a critical specification in the design of electronic circuits to ensure reliable and secure operation.
For insulated gate bipolar transistors (IGBTs), the equivalent specification to VCEO or VDS for bipolar or MOSFET transistors is typically referred to as VCES, which means "Voltage Collector-Emitter Saturation." This specification represents the maximum voltage that the IGBT can tolerate between its collector (C) and emitter (E) when the device is in saturation, meaning it is fully activated.
It is important to adhere to the specified maximum voltage for VCES to avoid any risk of damage to the IGBT. Compliance with these specifications ensures the reliable operation of the component in the applications for which it is used.
Super electronic tester that allows testing the breakdown voltage of components. The operating voltage of capacitors, zener diodes, bipolar junction transistors (BJT), metal-oxide-semiconductor field-effect transistors (MOSFET), insulated gate bipolar transistors (IGBT), and diodes.
Super testador eletrônico que permite testar a tensão de ruptura dos componentes. A tensão de operação de capacitores, diodos zener, transistores bipolares de junção (BJT), transistores de efeito de campo metal-óxido-semicondutor (MOSFET), transistores bipolares de porta isolada (IGBT), e diodos.
اختبار إلكتروني فائق يتيح اختبار الجهد الانهياري للمكونات. الجهد التشغيلي للمكثفات والصمامات الزينر والترانزستورات الثنائية القطب (BJT) وترانزستورات MOSFET وترانزستورات IGBT والصمامات.
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24 янв 2024
