Tranzystory unipolarne - [RS Elektronika] # 11 

Bardzo mądra osoba to nagrywa. Mało kiedy spotyka się tak inteligentne, przejrzyste poradniki. Brawo dla autora!

Zawsze mnie interesowała funkcja różnych części elektronicznych, bo też z pasji rozbieram sprzęty elektroniczne ,elektronike na kanale i deski PCB, i fajnie jest jak coś wiem o danej cząsteczce elektronicznej, dziękuję bardzo za kolejny super odcinek!

Gdyby tak mnie uczyli w szkole elektroniki jak Pan tłumaczy w swoich poradnikach. Wspaniała robota Dla mofetów my stosujemy nawet 4 Amperowe drivery

Odpowiedź do zagadki (moim zdaniem): Cytując słowa z 16 minuty filmu :) .." Mosfety z kanałem typu P, mają zdecydowanie większą rezystancje otwartego kanału, niż te z kanałem typu N " - dlatego rzadziej się je stosuje ( te typu P) taka jest moja odpowiedź :) Poza tym ŚWIETNE FILMY !!! Tłumaczy Pan wszystko prosto i logicznie, poza tym sam język i użyte słowa to przyjemność słuchać! zero jąkania i tego słynnego " yyy..yyy" ! BRAWO !!!!!

Druga cegiełka wdzięczności :) Na prawdę super robota :)

Super że pan to nagrywa, ta wiedza bardzo mi się przydaje na studiach :D

Fajny pomysł z tymi screenami charakterystyki i ich omawianiu, mam nadzieję że nie zrezygnujecie z tego pomysłu. Dzięki za film, krótko, zwięźle i na temat. A do tego nie nudzi, robicie naprawdę kawał dobrej roboty wzbogacając yt o takie fajne pomoce naukowe.

Super tylko brakuje mi praktycznych przykładów wykorzystania (jakichś bardzo prostych na płytce stykowej).

Dobry materiał na pewno lepszy niż lekcje pani Wachowiak, trzymajcie się tam chłopaki

Pewnie już paręnaście razy padła odpowiedź na tą zagadkę ale przejrzałem już kilkanaście komentarzy i nie znalazłem odpowiedzi. Myślę że chodzi tutaj o ruchliwość danego nośnika. Elektrony są dużo bardziej ruchliwe i szybsze niż dziury. A co z tego wynika te układy będą po prostu szybsze.

Mosfety z kanałem typu P mają zdecydowanie większą rezystancje otwartego kanału, niż te z kanałem typu N - grzeją się i obniżają sprawność.

Bardzo fajne wprowadzenie do MOSFET'ów :) Chciałbym jednak zaznaczyć, iż w pewnych zastosowaniach stosuje się rezystor w obwodzie bramki, i to nawet często. Może nie na poziomie PCB, ale PHY to już co innego :) Pozdrawiam i czekam na więcej !!

Super tłumaczenie prosto i na temat sub i łapka zostawiona :D

Odpowiedz na zagadkę: Moim zdaniem, wynika to ze sterowania takim tranzystorem. Jeśli założymy, że taki tranzystor podłączymy do pojedynczego napięcia(np.VCC i GND), to aby "usunąć" wytworzoną wcześniej warstwę inwersyjną potrzeba podać napięcie VCC. Zadanie w takim wypadku jest utrudnione, kiedy musimy wysterować taki tranzystor z poziomu logicznego TTL, gdzie obwód wyjściowy zasilany jest napięciem wyższym poziomy logiczne (5v). Wtedy do sterowania należy użyć np. tranzystora bipolarnego. Kolejną "Wadą" MOSFETA "P" w porównaniu z typem "N" jest to, że jest on wolniejszy, podczas przełączania(osobiście nie wiem czemu tak się dzieje, być może wynika to z mniejszej częstotliwości granicznej (?), większej pojemności bramki(?)). Pozdrawiam wszystkich ;)

jedynie szkoda że w wszystkich poradnikach typu n było czerwone a tu jest niebieskie ? dobrze mowie ? ale kozak, jak zdam jutro inż to dzięki tobie ♥

Świetny film! I technikum pozdrawia ;)

Używa się ich rzadziej z racji tego, że wymagają ujemnego napięcia do otwarcia, co jest problemem konstrukcyjnym. oczywiście, że da się to zrobić, ale po co :) ? Jak tak jest łatwiej.

Jak zawsze super.

Cóż, z mosfeta prawie nic nie zrozumiałem, ale obejrzę jeszcze raz

warto obejrzeć polecam

Dziękuje .

Świetnie Pan wyjaśnia :)

świetny materiał

dziekuje

kozactwo, jak zawsze

15:30 We współczesnych procesorach ilość tranzystorów przewyższa już miliard.

Co do zagadki, wydaje mi się że odpowiedź jest zawarta w 16 minucie filmu :)

W dokumentacjach mosfetów ciężko doszukiwać się wartości prądu mogącego płynąć przez diodę zaporową "zintegrowaną" z mosfetem. Czy da się tą wartość jakoś pobieżnie określić na podstawie innych parametrów tranzystora?

Czy w minucie 4:20 Schemat jest narysowany poprawnie? Chodzi mi o to że jest tam teraz napięcie dodatnie na źródle (Source) i na Drenie (Drain).

Przyznam, że mam ogromny problem ze zrozumieniem impedancji wejściowej i wyjściowej. Bo czy wysoka impedancja wejścia jest dobra czy zła? Na oko bardzo zła! Na przykład, gdy doprowadzam sygnał RF do wejścia pierwszego tranzystora wzmacniającego w. cz. i mam tam wysoką impedancję, prąd jest wręcz zerowany (duży opór a więc mały prąd na wejściu). Co jest złe, szczególnie w przypadku maleńkich prądów jak RF... A jednak w praktyce nie jest to chyba problem? Na to trzeba solidny osobny odcinek, myślę. :-)

szanuję każdy Twój filmik wrzucaj w opisie swój adres BTC to chętnie coś przekażę

Thakn you and best regards

4:17 nie rozumiem, dlaczego jak przyłożymy "-" to "p" zaczyna się odpychać oraz zaczyna blokować przejście. Czy nie musi być na odwrót, oraz "p" jako "+" musi się przyciągać do "-"

Skoro większość Waszych widzów pochodzi z kanału o "unitrze" proponuje dodawać komentarz jak układ omawianego typu ma wpływ w układach audio. Np. czym różnią się końcówki mocy z tranzystorami typu mosfet od innych. Przynajmniej mi wydaje się to o wiele bardziej ciekawe.

Pozdrawiam ZSZ Gostyń i Zurawia

Witam. Czy w układzie gdzie tranzystor unipolarny steruje przekaźnikiem, dioda pasożytnicza może zastąpić nam diodę zabezpieczającą tranzystor ,która podłączana jest równolegle do cewki przekaźnika?

Czy zamiast wstawiać równolegle rezystor (przy tranzystorze J-FET) można podpiąć diode ?Uniknelibyśmy wtedy stałej czasowej a złącze GS było by rozładowane.

Brawo za zwięzłość i dobrą polszczyznę o konkretach nie wspomnę

👍

W przypadku mosfetu opornik musi być o określonej mocy? Np. 0,5w. Mam taki problem gdyż mosfet podłączony do zasilania ale gdy nie przewodzi po pewnym czasie zaczyna mocno się grzać, odłączenie zasilania i ostygnięcie pozwala na dalszą prace gdzie po kilku minutach znowu mocno się grzeje. Ma na to wpływ opornik który rozładowuje bramkę?

Super...

Super!

A czy zawsze mozna ich dotykac w przedstawiony sposob majac na sobie ladunek elektrostatyczny?

A jak te tranzystory wyglądają w środku?? :

A co jeśli na S podać - a na D + też popłynie prąd? Zachowując oczywiście Ugs = 0

Czy pojawi się omówienie problemu górnego tranzystora?

Zdaje sobie sprawę że film był zamieszczony dawno i może dlatego zabrakło w nim wiadomości na temat tranzystorów SMD mosfet w obudowach sot-23 i innych skoro był poruszany temat mosfetów bo bardzo chciałbym się dowiedzieć więcej na temat SMD ponieważ dziś te części zastąpiły elemęty THT które powoli dochodzą do lamusa. Czy tranzystory smd sprawdza się podobnie jak THT i czy nóżki trzeba izolować do momentu montażu na PCB.

Przerażają mnie ludzie którzy nieironicznie się tym pasjonują (pozdro z technikum mechatronicznego)

gdzie podłączyc bieguny baterii do tranzystora fnk30h150 bo juz nie mam do tego sily podłączam do bramki plus oczywiscie przez rezystor do drenu rowniez plus z baterii a do zródła jedna elektrode miernika i druga do baterii bezposrednio i lipa nie kumam tego wszystkiego . jest to tranzystor z kanalem n

czy na źródle i drenie N nie powinny być z minusem a w środku p z plusem?

10Ω-100Ω na bramce trzeba dać

siema łączność