Bài trình bày đề xuất cấu hình cải tiến của bộ chuyển đổi Double-Dual-Boost (DDB) thông qua một vài kỹ thuật thay đổi cấu trúc mạch điện. Cấu trúc mới kế thừa tất cả các ưu điểm của bộ chuyển đổi DDB như voltage gain cao, voltage stress trên các thiết bị chuyển mạch thấp và chức năng tự cân bằng năng lượng giữa các pha. Ngoài ra, nhờ việc sửa đổi mạch, đầu vào và đầu ra của bộ chuyển đổi sẽ chung đất với nhau. Điều đó cho phép sử dụng gate driver không cách ly cho tất cả các khóa. Khi so sánh với bộ chuyển đổi DDB truyền thống, bộ chuyển đổi được đề xuất chỉ cần thêm một tụ điện và một cuộn cảm. Tuy nhiên, hai trong ba cuộn cảm của cấu hình được đề xuất có thể được tích hợp vào một cuộn cảm duy nhất. Do đó, khối lượng tổng thể có thể coi là giống như bộ chuyển đổi DDB thông thường.
18 сен 2024
