Спасибо вам большое, все понятно и просто. Учусь на радиотехнике,где преподы как то все не понятными формулами объясняют, а тут принцип работы объяснен, что очень важно для меня
Точно, учишься в институте, а там все на словах лекции читают. Вот и выходим из института (университета как сейчас их называют) и ничего практически сделать не можем. А мне один преп сказал: инженер, это человек который не на словах, а берет на бумаге схемы/чертежи рисует, а ещё лучше если реальные эксперименты делает. А я в институте осциллограф не видел, такая вот в институтах материальная база.
Вы как то не очень понятно объяснили , наш препод объяснял хоть и неприятно , но проще : на первом этапе транзистор открывается за счёт смещения Rb одновременно через него разряжается конденсатор обратной связи , а контур накапливает энергию , когда напряжение на Rэ станет равным Uпит - (Uк-э + Uинд) > 0,7Вольт (для кремния) транзистор начнёт закрываться через С1 (на базу поступает запирающий минус) одновременно через C3 в контур начинает проходить "подпитка" через C3 .... На втором этапе когда подпитка заканчивается , контур поменяет направление тока , а транзистор вновь начнёт открываться , то есть процесс пошёл по кругу ... Мне кажется так понятней , возможно что то упустил , потому что с тех пор прошло тридцать лет , но в целом примерно так это и работает ...
Объясните пожалуйста , почему транзистор начнет закрываться при напряжении на Rэ > 0.7В? Какая связь? Какую схему вы берете за основу своих объяснений?
Это "Классика жанра" , отрицательная обратная связь образуется в цепи эмиттер - база . Когда транзистор за счёт ПОС (положительная обратная связь) оказывается максимально открыт , его ток ограничивается эмиттерным резистором , падение напряжения на нём формирует запирающее смещение на конденсаторе включенном на участке Б-Э , это смещение запирает транзистор . Для надёжного запирания нужна величина напряжения преодоления потенциального барьера полупроводника , для кремния 0,7 , для германия 0,4 вольта ... В данном случае схема Колпитца , - ёмкостная трёхточка ...
правильно объяснил на P-N переходе для кремния 0.7 вольт потери в следствии преодоления потенциального барьера полупроводника, диод возьми и под нагрузкой померь напряжение(для гуглинга ВАХ), тоже самое и для транзистора.
Браво! ''If you can't explain it simply, you don't understand it well enough.'' - Albert Einstein Жалко че университетските преподаватели не разбират това.
на 11.35 упоминается С1. так вот неправильно упоминается. с1 закорачивает базу на землю по высокой частоте. это вообще то схема включения с общей базой. т.е. по переменке база на земле.
Спасибо за рабочий пример, но мало что понятно))) может надо было в перовой проге показать? там где видно как ток туда сюда ходит? Сейчас попробую там посмотреть сам.
К сожалению объяснения принципа работы не увидел. Моделирование вижу, даже в железе собрано (кстати какая цена деления выставлена на осциллографе), а где же объяснение?
Микрофон забыл принести из соседней комнаты , я угадал ? Если нет , почитай есть такой микрофонный усилитель , про него информации так же много как про задающие генераторы или ори погромче .
Принцип работы объяснён поверхностно. Автор, вероятно сам его не понимает, разе что общие слова об обратной связи. Не показаны токи и переходные процессы. Т.о. в этом видео главное симулятор, как чёрный ящик, а назначение ёмкостей, сопротивлений и их номиналы не объяснены.
+Andrej Udeneew На эмитере лучше поцик ставить. Высокое сопротивление - ' не заведется ' катушка, малый ток. Слишком большое- не тот сдвиг фаз и обратная связь. Советую попробывать по схеме 5:0. Всегда ' заводится'
катушка накапливает ток а конденсатор напряжение, 90 градусов конденсатор отстает а катушка наоборот опережает и это есть основа для простого колебательного LC контура))) и период зависит от частоты колебаний катушки по отношению к конденсатору, П.С. Только не вспоминайте теорию относительности при мне))
интересное видео , я тоже попробывал собрать схемы вами представленные , вторая схема жучка" классическая " тоже заводиться когда на эмитере сопротивление 1ком ,
про LC понятно. я хотел узнать про остальные элементы (1nF на базе, 10pF по обратной связи, 470 Ом Iк, итд...) какими их выбирать меняя частоту контура?
1nF остаётся или становится больше, т.к. надо зафиксировать базу. от 470к зависит ток, можно оставить. меняется конденсатор связи 10пФ (самое главное!) и контур. советую погонять в симуляциях например в LTSpice
