Сравнение Si, SiC, GaN транзисторов.Часть 1: динамические характеристики 

Интересно тоже

по падению совершенно верно, многовато. Ставить дополнительный диод... спорно, тогда смысл в GaN, сразу SiC и ставить. Но в практическом смысле GaN актуален на относительно высоком напряжении и высокой частоте, а в таком режиме даже такое падение на диоде не очень критично

@@user-eo4tl2th6b ок

по идее картина не изменится, по крайней мере ощутимо, т.к. во-первых пороговое напряжение всё равно уже пройдено и во-вторых это чисто свойство внутреннего биполярного транзистора

Никак не изменится, так так управляющий импульс приходит на внутренний мосфет транзистор, для биполярного, который является силовой частью это будет означать, что ток через базу прекратился, отрицательное напряжение до базы не доходит.

Почему тогда все стараются сделать драйвер с отрицательным смещением?@@dieselcraft1827

Защита от самопроизвольного открывания в полумостовой схеме. При использовании активного подавления емкости Миллера отрицательное напряжение можно и не использовать. В одном из вебинаров на данном канале это обьяснялось)@@sgindustrial6448

@@micromaster4405 весьма сомнительно. не знаю конкретные цифры на практике. но по факту приоткрывание будет в любом случае. что на затвор не подавай у него есть паразитная емкость и индуктивность которые ограничат ток. отрицательное напряжение частично решает эту проблему.

драйвер 1EBD7275

​​@@user-eo4tl2th6b Уважаемый какой транзистор Si, SiC, IGBT, GaN лучше использовать в частотниках средней и высокой мощности, преобразователях напряжения, инверторах для солнечных батарей и т.д. мощности около 50-300 кВт [если не учитывать их стоимость]? Я думаю, что оптимальный вариант для этого SiC?

@@user-id3pu3pr2e если деньги позволяют, то SiC

@@user-eo4tl2th6b на сколько SiC дороже IGBT?

@@user-id3pu3pr2e в среднем по больнице раз в несколько

это вполне себе способ повысить выходной импульсный ток, полка соответственно уменьшится, никуда не денется )

как всегда последняя пятница месяца; соот. ближайший 24.11

интересная штука, не юзал такие, ничего сказать не могу

почему же забыл? и в описании под видео и по тексту говорил, что статические параметры - они понятны (о них не говорим), речь же только о динамических свойствах

@@user-eo4tl2th6b а смысл их отдельно рассматривать не пойму. мы же в схему ставим транзистор целиком а не отдельно динамические свойства. а транзистор это совокупность параметров итоговое тепловыделение тоже от совокупности параметров зависит.

@@madmax2872 про совокупное тепловыделение и работу в преобразователе - это вторая часть будет

с одной стороны многовато, обычно максимум 10...20 кГц, но не смертельно. Тот же индукционный нагрев на жбт 40...60 кГц, выдерживают

@@user-eo4tl2th6b ну и сварки на 60кгц работают, но греются радиаторы даже на холостом ходу, если вентилятор отключить. Тут как раз занимаюсь преобразователем, на 100кгц не свистит, на 40кгц свистит. что не так? с ферритом? провод лаком залит. при 1% и при 50% шим свист

@@hybridinnovate свист - это странно, на такой частоте ничего не должно быть слышно. Тут или транс, или сквозняки лезут. Я бы попробовал мёртвое время увеличить, глянуть что изменится

​​​@@hybridinnovateвместо ферита желательно использовать алсифер, поскольку хотя частота 100кГц - мощность поступает импульсами на порядок меньше длительности меандра, тоесть нужно стабильное свойство сердечника для 1 МГц, ферит (например) нм2400 не "держит" 1 МГц. Например, PFC делают на кольцах именно из алсифера

переходные процессы в т.ч. включают в себя токовой хвост. А ёмкость Миллера - это всего лишь другое название проходной ёмкости

@@user-eo4tl2th6b Так вы же собрались проверять паразитный диод, а для этого индуктивность является прямой помехой. Она образует колебательный контур с выходной емкостью транзистора. Т.е. вы смотрели взаимодействие индуктивности с выходной емкостью транзистора, но никак не время восстановление паразистного диода... не говоря уже о том, что ваша схема выводит транзистор на запредельные режимы работы из за отсутствия снаббера.

@@user-md3nz9hy8z аяяй, как же мы так? Надо будет в Infineon, Semikron, Fuji... написать, что они фигню намеряют

@@user-eo4tl2th6b А вот у них описаны все испытания и условия. Стоило почитать, прежде чем видео снимать.

не знаю, есть у них там оксид металла, или нет, но во всех даташитах эти транзисторы называютсЯ SiC-MOSFET

возможно, но биполярник для коммутации мощной нагрузки - это уже специфика и даже атавизм

звон всегда будет, это нормально. А чтобы уменьшить - увеличьте затворные резисторы, больше никак. Да и 10/5 Ом маловато, как по мне

@@user-eo4tl2th6b в документации на транзисторы обычно все параметры идут до 10-12В и никто не даёт параметры на 15В.

копать в сторону улучшения топологии (что сложно) или уменьшения du/dt. Я бы сейчас так сделал: на полумост по питанию конденсатор 0,1 мкФ. Если не заработало, то увеличивать затворные резисторы вплоть до 100 Ом. Дальше уже по обстоятельствам.

доли мкс - это нормальные времена, а синий опережает жёлтый потому что полумост

а что на них смотреть? обычные корпуса, ничего интересного

да кто ж спорит? у меня вообще речь не по ЕСКД ставлена ))

@@user-eo4tl2th6b :)

ru-vid.com/video/%D0%B2%D0%B8%D0%B4%D0%B5%D0%BE-PgPLA-BAe2E.htmlfeature=shared

согласен, каюсь, но привычка, никак не могу побороть ))

передний перед / более больший / компакт сиди диск /

спад

"фронт" - имеется ввиду "правое" пространство возле среза. Для отрицательного импульса термин "спад" менят понимание на обратное и возникает путаница, все идет с микропроцесорной техники

скажу вам по секрету - согласен )) понты и для оооочень узкоспециализированных применений. Хотя время покажет, ещё десяток лет назад SiC-MOSFET был таким же "не понятно что", а сейчас вполне себе подкласс

Если проектировать кое-что резонансное на 10кВт тогда ощутимо становиться влияние КПД на размер радиатора. КПД начинает приближаться к 99,9%, скажем для контролера двигателя електробайка, или для майнинга - где конкуренция большая, майнинг-БП идут массово (по сезону), для сварочника ощутим размер и вес мощного апарата (для верхолаза или массового потребителя дешовой китайской продукции "минимализма"😆) Если спрос на производство GaN масштабно увеличится - они подешевеют и сделают демпинговую конкуренцию мосфетам и IGBT. Стоит вспомнить историю создания синих светодиодов (начало 1970-х)

@@spectrumplay5606 полностью согласен, оно ещё десять лет назад SiC дикостью дорогущей был, а сейчас вроде как уже и норм

Вобщем, суть в том, что приближении к критической максимальной частоте меандра - "хвост" и прочее несовершенство увеличивают ВРЕМЯ холостого простоя ключа, которое становиться сравнимо со временем активности ключа. Возникает предел массо-габарита апарата. И если "срезать" хвост раз в 10 - получаем удвоенное или утроенное увеличение времени (заполнения) для активности ключа, плюс такое позволяет на порядок увеличить частоту преобразования и существенно уменшить массо-габарит. Именно потому GaN получает преимущество на ВЧ. Всеже, главная цель импульсной схемотехники - резкое уменшение массо-габарита при сопоставимой помехе обратно в сеть, по сравнению с аналоговой низкочастотной схемотехникой.

@@spectrumplay5606 заход немного с другой стороны, но по сути полностью согласный