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ステップアンバンチング現象の発見 -半導体表面を原子レベルで平坦にする新技術- 

Norimatsu-lab in Nagoya University
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2023年7月19日に出版された論文"Step unbunching phenomenon on 4H-SiC (0001) surface during hydrogen etching"について紹介します。
論文は下記サイトから閲覧・ダウンロードできます。
doi.org/10.106...
パワーデバイスとして使われているSiC表面を原子レベルで平坦に新技術として応用可能な、ステップアンバンチング現象を発見しました。
早稲田大学プレスリリース資料
www.waseda.jp/...
早稲田大学 基幹理工学部 電子物理システム学科 乗松研究室
www.nano.sci.wa...
楽曲:
Twilight Wanderers / イースvs.空の軌跡 オルタナティブ・サーガ オリジナルサウンドトラック
/ Copyright Nihon Falcom Corporation
Voiced by VOICEPEAK 商用可能 6ナレーターセット
#SiC
#ステップバンチング
#ステップアンバンチング
#水素
#早稲田大学
#電子物理システム学科
#乗松研究室

Опубликовано:

 

16 окт 2024

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