Тёмный

DC Characteristics of 45nm NMOS 

Microelectronics
Подписаться 15 тыс.
Просмотров 2,1 тыс.
50% 1

Prof. Tony Chan Carusone simulates the DC IV characteristics of a MOSFET in triode, saturation, and subthreshold operation. Transistor parameters such as the threshold voltage and threshold voltage are extracted, and key short-channel effects such as DIBL are highlighted.

Опубликовано:

 

10 сен 2021

Поделиться:

Ссылка:

Скачать:

Готовим ссылку...

Добавить в:

Мой плейлист
Посмотреть позже
Комментарии    
Далее