Сразу отвечаю на 2 самых популярных вопроса: 1. Как заказать на LCSC в Россию, Беларусь, Украину? - Я не знаю 2. Как и где купить Flipper Zero? - Я не знаю Думаю, что в обоих случаях гугл поможет
Где-то встречал статью про ремонт магнитолки - систематически дохли ЕЕПРомки. При анализе причины выяснилось, что заводская прошивка записывает уровень громкости при каждом шаге энкодера. В итоге за год-два ресурс памяти вырабатывался полностью
Ауди концерт. Записывала каждый щелчок энкодера в eeprom, программисты думали, что eeprom бессмертная 😊 На первых этапах дефект можно было вылечить прожаркой контроллера в духовке или самый простой - установкой лампы для нагрева контроллера. Хоть и считается, что нагрев сокращает ресурс eeprom, но живые эксперименты с магнитолой показывают положительный результат, ресурс можно увеличить до года.
Да, это известная правдивая байка из прошлого. Иногда приписывают её разным производителям магнитол, но это действительный факт был, программист ошибся с выбором типа памяти и переменная положения энкодера писалась в еепром вместо озу.
Сейчас так дохнут телевизоры, видюхи и материнки И дело уже не в ресурсе, а в утекании заряда В видюхах например записывать кроме прошивки нечего, но все равно у какого-то процента покупателей через год просто слетает прошивка и видюха дохнет на ровном месте
@@radioremont я не говорил, что это не правда. Это правдивых случай помоему с форума магнитол лохматых годов, то ли магнитола.орг то ли мониторнет.ру которая уже обросла байками. Там был анализ данных записи памяти и при вращении энкодера долбило ячейку. Эта тема с форума быстро разошлась по интернету по форумам паяльщиков и обросла байками.
На самом деле память тестируют шахматкой, записывая 0х55, и 0хАА. Это позволяет создать наихудшие условия, в том числе повышает ликедж между ячейками, потому что ноль возле единицы и наоборот
@@rnadyrshin 7:55 Принцип работы: 1. Микросхема принимает 32 байта данных от микроконтроллёра во внутренний буфер ОЗУ (32 байта размер страницы). 2. Стирает нужную страницу записью единиц (32 байта 0xFF). 3. Запись из внутреннего буфера ОЗУ в очищенную страницу. Внутренняя верификация записанных данных микросхемой не производится. Нужно поочерёдно записывать: 1. Заполнить страницу 0x55, проверить; 2. Заполнить страницу 0xAA, проверить. Будет равномерный износ битов во всей странице. Можно было бы ограничиться записью в страницу только нулей (0x00) с последущей проверкой, но неизвестно, производится ли инвертирование записываемых данных или нет. Можно поочерёдно заполнить страницу шахматкой: 0x55AA, затем 0xAA55, тогда на состояние неустойчивого бита будет влияние из соседних байтов.
@@rnadyrshin Это так тестировали DRAM врёмен микросхем 4116, 4164 (К565РУ5, К565РУ7) . Паттерны использовались не только 0x55 и 0xAA, но и сдвигающиеся биты единиц, нулей и проч, в разные адреса записывали разное и вообще кто на что горазд. Это легко установить если скачать тест и запустить его на эмуляторе, или посмотреть тесты MemTest86, Memtest+. У EEPROM принципиально иная технология хранения, записи и чтения битовых ячеек, неизвестно как тут поможет паттернирование. Деградация ячейки происходит при ее стирании. Предпочитают говорить о "charge trap", дескать электрон более не уходит с плавающего затвора.
И питания. У меня в мониторе для пк с полу дохлыми конденсаторами умерла eeprom, и настройки монитора менялись сами по себе, меню глючило пока не отрезал ногу питания eeprom, теперь настройки не сохраняются, но хоть монитор работает
Практически ничего не понимаю в этом. Смотрел с перемотками. Но было интересно. В принципе, как я понял никакой воды. Возможно, и дальше буду смотреть ваши ролики. Оформление и подача материала очень и очень хороши. Благодарю.
Интересный тест ) Но проблема еще в том, что у поюзаных ячеек сильно портится retention, заряд начинает утекать в покое. Т.е. записав весь объем 2млн раз, и положив чип в печку на +85° на месяц - ошибки будут на порядок раньше. И видимо часть микросхем даже не выжмет паспортный миллион.
По настоящему грамотный комментарий. Автор видео забыл, что функция EEPROM не только в том чтобы записывать и считывать данные, но также и в том чтобы хранить их продолжительное время.
Странно, я конечно не спец, но не для хранения ли микропрограмм(прошивок) данный тип памяти(пзу) используется. Возникает вопрос , нафига в неё постоянно что либо записывать? Как там со стираемыми ультрафиолетом пзу?
@@JohnFord8310 Например, есть крутелка ручки громкости на энкодере. Когда человек покрутит - записываем значение в eeprom чтобы не сбрасывалось. Или шаговый двигатель, запоминающий положение между выключениями... Приходится постоянно писать.
@@BarsMonster современные SSD (имеющие RAM кэш) по сигналу пропадания питания начинают этот кэш переписывать в NAND. Таким образом, небольшого конденсатора хватает, чтобы решить проблему пропадания данных. Организовать такую схему при желании не составляет труда
@@АртёмСабадырьЯ как раз о том, что из потрепанных NAND/EEPROM ячеек заряд утекает. Т.е. сам флеш/eeprom не вечно хранит данные. И потрепанный флеш - очень и очень невечно. После миллиона циклов - при +85°С может и дня не продержаться без ошибок.
Спасибо, вот это да! Классно, что вы сохранили интерес к такой деятельности, а не послали всё по бороде. Кста, была раньше память FRAM от Ramtron, вроде бесконечная и лучшая была (20 лет назад).
Мы используем лет 10 Fram в приборах. Но.. чипы с небольшим объёмом, 8-16 кб. ;) И не в качестве альтернативы EEPROM, которое в изделиях тоже обычно есть. А Fram больших объёмов - слишком жирно.
Мало кто слышал про FRAM, та, что "ферритовая". Она по ногам совместима с еепром 24й серии, только вечная. ОВЕН в свои старшие модели контроллеров её уже серийно применяет.
Прошу прощения, но вы путаете EEPROM и FRAM (FeRAM), которой планировали или еще планируют заменить DRAM, NAND, но не EEPROM. У Texas Instruments был опыт выпуска МК MSP430 серии с FRAM в качестве Flash, но широкого распространения также не получилось. Видимо, что было невыгодно с экономической точки зрения.
Очень познавательно. Неоднократно видел проблемные микросхемы памяти в очень дорогих устройствах, например профессиональные фотоаппараты, муз оборудование. Я всегда очень злился, почему завод не тестировал микросхемы ОЗУ и ПЗУ циклами записи-чтения (это же так просто сделать служебную функцию в прошивке и простейший мемтест+ стресс-тест процессора минут на 40-час? чтобы все шары Bga прогрелись и если где-то отходит контакт-он бы проявился) перед установкой в устройство и продажи его за несколько тысяч долларов! Иногда была ошибка в ПО, например при записи нового трека прошивка не понимала что пустое место закончилось и записывала поверх служебных данных. Но это уже не относится к проблеме самих чипов, хотя н-р более грамотная архитектура могла бы разделить микросхему для основной прошивки и для данных и сделать их с планарными выводами для простой замены паяльным феном. и н-р сделать отдельный чип с калибровками, чтобы его можно было просто перенести на донорскую плату в случае гибели основной и не мучится. очень часто встречалась битая оперативная память, распаянная в устройствах, причём подлость такой проблемы что проявляется она часто редкими глюками через определенное время или при вызове определенных функций (например загрузке новых данных или выборе каких-то режимов, где заполняется буфер), а при попытке прошить такое устройство из-за ошибок в контрольных суммах в ОЗУ повреждается и ПЗУ и настоящая боль не только найти распиновку JTAG но и слить-собрать рабочий дамп, особенно если всё на BGA пайке. Решениеv станет проверка контрольных сумм после полной распаковки в память ли как по-умному сделано в некоторых прошивальщиках биоса, там дуал-биос-то есть основной и резервный и небольшими блоками перезаписываются по очереди причём со считываем записанного и сверкой после каждого блока. Такой прошивке не страшно даже экстренная потеря питания. Это как делать, если по умном, в своих устройствах. совет разработчикам-делайте стенд тестирования электронных плат своих устройств, минимум пару суток с повышенной температурой и влажностью, минимум 300-400 циклов проверки всех микросхем оперативной и постоянной памяти. разрабатывайте тесты мемтест для проверки, лучше встроенные с запуском комбинацией кнопок. иные проблемы из опыта: Дешевый некачественный текстолит тонкий, плохой припой BGA , неотмытый активный флюс, непропай под шарами в следствии несоблюдение температуры или некачественного флюса, завышенные напряжения питания-всё это приводит к глюкам и быстрой деградации... просчёты по охлаждению чувствительных к малейшему перегреву компонентов, BGA с краю платы где она изгибается... как Vik On неоднократно показывал в современных видеокартах. наверное книгу можно написать про косяки как не надо разрабатывать...
_совет разработчикам-делайте стенд тестирования электронных плат своих устройств, минимум пару суток с повышенной температурой и влажностью, минимум 300-400 циклов проверки всех микросхем оперативной и постоянной памяти. разрабатывайте тесты мемтест для проверки, лучше встроенные с запуском комбинацией кнопок._ Зачем это им? Проблема у частных потребителей может не проявиться в принципе из-за низкой частоты использования (потому-то все эти предупреждения в инструкциях "не предназначено для профессиональной работы"); может проявиться по окончании гарантийного срока; может возникнуть вообще по окончании срока службы (тоже с не очень далёкой поры обязательное условие информирования потребителя). В каждом из этих случаев -- товар продан, при этом сэкономлены "минимум пара суток", "минимум 300-400 циклов" и т.п. по вашему тексту, а это и оборудование, и трудо- и энергозатраты. Сложно представить себе производство, скажем, тех же фотоаппаратов, которые выпускаются сотнями в день, с двумя-тремя сотнями испытательных стендов (чтобы обеспечить тот самый "минимум пару суток" тестирования). Это всё только существенно увеличивает себестоимость продукции, не давая практически никаких преимуществ в дальнейшей эксплуатации. Если же глюки у конкретного потребителя выявятся в период гарантии (а это, может один случай на тысячу, а то и десять/сто тысяч), то этому конкретному потребителю можно подарить оплату работы мастера или даже полную замену товара. Вот его, кстати, после возврата производителю можно поместить на такой стенд, чтобы определить причину поломки и заменить неисправный компонент. И продать как новый. Это через ваши руки проходят сотни поломанных девайсов, вы их видите, и поэтому так рассуждаете. А сколько сотен тысяч таких же девайсов просто работают на радость хозяевам, не попадая в ремонт? Сие неведомая тайна есть. Я уж молчу о том, что подрастает уже второе поколение "общества потребления", в котором ценность товара представляет не его надёжность на протяжении 25 лет, а "модность", "актуальность" или какие-то совершенно посторонние потребительские качества (как, например, количество мегапикселов камеры в телефоне или обновление прошивки "мозгов" авто во время ожидания на светофоре). Подавляющее большинство устройств (даже очень дорогих, типа тех же фотоаппаратов) меняются людьми чуть реже, чем носки. К чему все эти "заморочки" с глубоким тестированием каждого экземпляра? Вот и вся экономика.
@@theMerzavets Ещё просьба автору. Проверьте. возможно ли вычитать поврежденную микросхему путём её нагрева, охлаждения. заморозки итд. Иногда критически важно вычитать дамп с поврежденной микросхемы для дальнейшей правки руками или например из всего дампа важны пару разделов с калибровками. Сделайте такой эксперимент
@@theMerzavets наверное стоит переходить на качественно другой финансовый уровень, чтобы так легко менять дорогостоящие вещи и сменить старую тойоту на новенькую Ауди, которую непременно придётся менять через 2-3 года. просто потому. что всё начнёт в ней сыпаться. Я ещё и дизайнер, я люблю красивые вещи, но когда по технике они г-вно меня это гложит
Вот почему на 20летних авто системы IMMO сбоить начинают(слёт синхры, ключей..).. А сейчас повально все автопроизводителе начали размещять ECU в подкапотном пространстве. Значит ресурс будет ещё меньше с учётом повышеной температуры. И наверно количество циклов монтаж-демонтаж тоже здоровья еепромкам не добавляют...
@@rnadyrshin с так называемвм роллинг кодом, каждое включение зажигания. Даа про плохие клеммы в момент запуска реноводам особенно хорошо извесно, или медлннная в ноль разрядка АКБ
Отличная работа! Действительно эксклюзивная работа проведена и оформлен контент очень качественно! По больше бы такого материала в интернете как ваш. Так держать!
Не верный подход к определению ресурса. Надежность зависит не только от количества циклов записи, но и от способности длительное время в статике хранить заряд и не допускать при этом ошибок. Количество циклов записи не связано пропорционально с вероятностью преждевременного стекания заряда. И это проблема не только Eeprom.
Самая большая проблема таких тестов, то что они НЕ тестируют ресурс. EEPROM содержит изолированный затвор в котором "запираются" электроны в момент записи. Проблема с износом в том, что при каждом стирании эта структура деградирует что приводит к повышенной утечке электронов. И в таком тесте всё будет чики поки - мы записали, тут же считали и всё хорошо, но хороши только потому, что у электронов не было времени "убежать" и только уже при очень сильном износе начинается то, что плавающий затвор не может совсем держать заряд. Если записать и оставить на день/неделю/месяц/год, то ошибки появятся и при меньшем количестве циклов записи, именно поэтому цифры в даташите и результат такого теста сильно отличается. P.S. А теперь такой же тест с FRAM(MB85RC256V) пожалуйста! 😁
Прекрасный эксперимент, как и всегда. Было бы очень интересно увидеть сами чипы растворенных в кислоте микросхем от STM и HANSCHIP. Есть подозрение, что китайцы перепаковали/перемаркировали Б/У микросхемы ST, уж слишком похож ресурс и время записи.
Если я правильно понял, то тестировалась только первая страница памяти. Но вероятность безотказной работы всей микросхемы будет равна произведению вероятностей одной страницы на количество страниц. Понятно, что значение не должно сильно разниться, предполагая одинаковое качество материала, но всё же тест неточный.
Я хоть и очень далёк от электроники, но мне очень интересно было посмотреть этот тест. Очень порадовал дотошный подход к тесту, а не просто количество записей в память пока оно не сгорит нафиг
Очень познавательное видео. Но, возможно, не бит становится сбойным - он просто отдаёт данные очень медленно и не вписывается в логику работы чипа, выходит за пределы временной диаграммы. По аналогии, у HDD хороший и сбойный сектор отличается очень большим разбросом по времени доступа (но в специальном режиме сбойные сектора можно прочитать). Не ясно наличие кодов коррекции в чипа и их уровень.
Для экономии ресурса, в функцию запись/чтение, добавляют функцию проверки и сравнения значения перед записью (частенько выясняется, что и перезаписывать нет смысла, но это конечно редко в применение т.к. довольно специфично...
Ещё бы иметь анолизатор оставшегося ресурса EEPROM. Чтобы иметь возможность при ремонте узнать или предупредить износ памяти. Спасибо, очень познавательное видео.
Спасибо, очень интересное исследование. Лет 5 назад делал настольную лампу с регулировкой яркости и памятью последней яркости. Тоже голову ломал, как не затереть встроенную память контроллера до дыр. В итоге, делаю паузу секунд в 5 перед тем как записать знаяение. То есть жду, пока пользователь перестаёт крутить яркость. Была ещё мысль придумать как то равномерный износ, но решил, что оно того не стоит))
Мы сделали по другому. Сделали мониторинг входного напряжения до стабилизатора напряжения микроконтроллера. Как питание выключили, так запоминаем все настройки. Обычного конденсатора хватает на эту операцию
Есть еще Ferroelectric RAM - тоже самое но только работает как флеш. Заявленный ресурс просто огромный. Можно найти полностью совместимую i2c, например FM24CL16B. Было бы интересно посмотреть на тесты такой памяти!
Не выдержан режим тестирования. По сути затвор был 24/7 в состоянии работы и там протекали процессы диффузии и электромиграции, как бы вел себя завтвор при другом режиме работы. Формально у нас был линейный работы. Есть же отличие. Вообще не понял о чём тест, как показометр да. Кажется мне что плохое питание более актуальная проблема.
@@rnadyrshin Я бы взял что-то из JESD22-A108 или приближенное к этому хотя бы примерно на сколько это возможно в домашних условиях. Как вариант что-то AEC−Q100 и посмотреть разницу между обычной микросхемой и сертифицированной.
Любые попытки измерить ресурс EEPROM таким образом являются профанацией. Так как задача EEPROM не только записать данные и отдать их через 1ms, а и хранить их X лет, что в тестах совершенно не учитывается и не тестируется. Никакая еепромка после выработки ресурса заявленного производителем не сможет сохранить данные положенные 20 лет
Я продаю конструкцию на микрочиповских pic16f628a. В епром пишутся константы. Работает 24/7. Не редки случаи (приерно в 10%) в течение 3-5 лет какая-нибудь константа скидывается на FF. Перезапись решает проблему. В особо ответственных конструкциях наверно стоит дублировать хранение констант.
как методика -- классно 👍 и интересно 👍, но, увы, конкретные результаты малоприменимы, потому что для какого-то более-менее достоверного прогноза по надёжности придётся тестировать некотороую выборку из каждой партии (для по-настоящему ответственных устройств делается именно и только так, невзирая на имена и результаты прошлых тестов);
Отличный качественный тест! Давно было интересно, сколько они на самом деле выдерживают циклов записи. Если в устройстве требуется часто писать в EERPOM, можно размазать запись на всю микросхему, организовав что-то вроде кольцевого буфера. Тогда эти миллионы записей можно умножить на количество страниц в микросхеме.
@@user-ch76tcye4vvuu8 Если ошибка в одном бите, то да, сработает. Но ненадолго, т.к. через сколько то циклов и другие биты начнут отказывать. Если же сразу много байт отваливаются как показано в ролике, то коды не помогут. Если же размазывать запись равномерно по всем страницам, то количество циклов возрастает намного сильнее. На каждый килобайт памяти у нас в 32 раза больше циклов. То есть не 10 млн, а 320 млн циклов записи. Если добавить коды коррекции ошибок, то еще больше будет.
@@_vpruЕсли размер блоков записи постоянный, это гораздо проще чем файловая система. Я в изделии на 8051 и 24C08 делал именно кольцевую структуру, к каждому записанному блоку приписывал порядковый номер. При чтении просто искал блок с наибольшим номером. Заодно такой алгоритм поможет и от сбоев, если контрольная сумма найденного блока неправильная, используется предыдущий, то есть потеря не больше одного цикла.
Китайские чипы имеют ресурс выше заявленного по одной простой причине: они просто не знают, сколько там реально ресурс. Они не тратят время на выяснение этого для каждой партии, и видимо измеряют его только при каких-нибудь контрольных мероприятиях после изменений на производственной линии, чтобы продукция с запасом укладывалась в допуски. А вот производители и реселлеры из Европы и США видимо заморочились, и производя микросхемы, постоянно проводят аудит качества и ранжируют их по наработке, и может быть еще по каким-то другим характеристикам. Отсюда и более высокая стоимость, и более близкие к заявленным показатели на тестах.
Замечательная работа, но мне кажется выявленный запас ресурса связан с тем что запись велась только на одну страницу. Интересно было бы хотя бы для одного производителя оставшиеся неиспользованные микрухи разрушить полной перезаписью, что бы это подтвердить или опровергнуть. Стоит выбрать производителя с низким ресурсом но и низким разбросом, что бы корреляционная ценность была высокая но при этом не пришлось еще 2 месяца тратить:)
"Килобайт" сокращаённо записывается как "кБ" (большая "Б"); "кб" --- это "килобит". Кстати, "к" --- приставка "кило-" --- всегда маленькая. Да, есть соглашение, что "к-" --- это "1000", а "К-" --- это "1024", она же "ки-", но это нестандартная конвенция, потому что "K" в системе SI --- это кельвин, единица температуры.
Очень интересное исследование Из вашего теста получается, что микросхема знает, что читаемый участок битый, когда при чтении битого байта на шину i2c выдаётся сигнал start. Значит там гдето есть контрольная сумма? Это справедливо для микросхем всех производителей? И это вообще документированный функционал? А вы не проверяли, если постоянно перезаписывать только 1 байт по какому-то адресу, то это никак не скажется на ресурсе соседних байтов? Некоторые производители USB и SD флешек в начальные адреса(где находится FAT таблица) ставят более живучий флеш Может быть и здесь тоже самое, когда у более дешевых eeprom в первых адресах, более надежные ячейки. Стоило для тестирования каждой микросхемы из партии брать разные адреса.
Микросхема памяти, конечно, не знает где у нее битые ячейки. Она читает по порядку то, что запросил i2c-мастер, а на изношеном бите спотыкается и сбрасывается. Я тестировал только страницу целиком, никаких тестов с отдельным байтом я не делал. По поводу соседних ячеек. В самом начале на первой микросхеме был такой эксперимент. Я износил страницу 1 до сбоев. Потом износил страницу 2 в этой же микросхеме. Ресурс эти страницы показали схожий. Я сделал вывод, что износ одной страницы не влияет на соседние. Я думаю, что разный ресурс разных страниц памяти - это миф, совпадение, теория заговора и тому подобное.
Отлично организованное исследование с грамотно интерпретированными результатами! Респект! А проанализировать взаимосвязь между временем записи и живучестью микросхемы можно было посчитав коэффициент корреляции и отобразив точки на графике (вправо - время записи, вверх - живучесть).
Кому он нужен этот флиппер за 30 т.р.? На озоне видел такую цену, а наклейки на коробку от 2000 р. ! В баню ... И программаторе можно оттестировать - запустить сотню другую в непрерывном цикле. Даже и слушать не стал.
Он что тебе его впаривает ? Че за идиотский коммент, кому он нужен его купят, тем более он стоит куда дешевле, но видимо вы все забываете что чем меньше спрос, тем выше цена
Скорее всего ресурс будет слегка меньше чем "залпом". Т.к. деградационные процессы связанные с проникновением материалов друг в друга да и воздействие фонового ионизирующего излучения со временем только ухудшат состояние изолированного затвора (основы энергонезависимой памяти)
@@ОлегСелян-х9ж гарантированно так Хотя, думаю, это зависит и от микрухи. Например, если производитель сделал микруху косячной, и она сильно греется именно в момент записи, то логично, что залповая запись убъëт микросхему быстрее, чем скажем запись раз в минуту. Но я не думаю, что где-то существуют такие корявые eeprom ки, ну разве что китайские из подвала дядюшки Ли.
Ещё просьба автору. Проверьте. возможно ли вычитать поврежденную микросхему путём её нагрева, охлаждения. заморозки итд. Иногда критически важно вычитать дамп с поврежденной микросхемы для дальнейшей правки руками или например из всего дампа важны пару разделов с калибровками. Сделайте такой эксперимент
У флешь памяти 100.000 циклов было очень давно. Потом сделали 10.000. Современная память живёт 2000-3000 циклов на ячейку. Поэтому память подешевела, что стала дешевле в производстве из-за снижения ресурса.
Наткнулся на комментарии про влияние качества питания. И вот что подумал, ведь запись происходит путём стирания страницы и записи новой, и для этого нужно воздействие продолжительное на изолированную ячейку полем. И есть подозрение что время воздействия будет зависеть от входящего питания. Т.е. по идее при более низком напряжении питания время записи должно увеличиваться. Если это так то при нестабильном питании контроллер еепромки может просто некорректно выставлять длительность. Тем самым сильнее повреждать ячейки при записи если длительность больше чем надо, либо если длительность меньше чем надо нечётко записывать информацию.
Распределение ошибок по байтам тестовой страницы (сделано после публикации видео): docs.google.com/spreadsheets/d/1Q1xf59Ax3BtQdmbQRH4q-KpWT85fBhrdao-1Rk9RumA/edit?usp=sharing
Нет Китайских микросхем они все сделаны по западным технологиям, а вот отбраковка есть и она может быть под любым брендом в рассыпухе, на заводском устройстве все стоит качественное.
Помню, лет 10 назад у знакомых сдохли аналитические весы OHAUS (загрузка заканчивалась ошибкой номер ...). На форумах писали, что причина - выход из строя микросхемы с прошивкой.
Вы затронули тему снижения ресурса при повышении температуры. Жаль, что не провели тест хотя бы одного чипа от каждого производителя. Было бы интересно сравнить
С этими тысячами записей скажите старым телевизорам и некоторым видам магнитол где перезапись происходит при разных манипуляциях с настройкой и банальном переключении каналов , после чего она помирает года через 2-3 активного использования аппарата, превращая магнитолу в кирпичь а телевизор в клиента мастерской. Благо их давно сняли с производства. Хотя могу привести пример с каким столкнулся лично, швейная машинка NV200, спустя 10 лет периодического использования таки сдохла EEPROM ! причем машинку включали не сильно и часто, от нескольких раз в месяц до 1 раза в полгода. Перешить можно и даже будет роботать но обязательно слетит очень быстро с ошибками в том же месте . Только менять.
Вердикт: берем брак с алика и не паримся по поводу ресурса, 1 лям выдержат все! :) В тесте, я понимаю, насиловалась только первая страница памяти, т.е. 32 байта, а если рандомно погонять разные страницы одной микросхемы, как будут обстоять дела? Можно ли, при появлении сбойной страницы, вывести ее из участия в записи, как это скажется на остальной области всей памяти? Контролировать при этом сбойные страницы можно, выделив для этого одну страницу как маркер, при этом нагрузка на нее будет ничтожной. В связи с этим вопрос: сколько продержится контроллер самой памяти? либо я не совсем понимаю как производится запись/чтение. Соответственно если использовать всю область памяти, ресурс будет ли 1 млн? Мы провели через шину данных порядка 20 млн циклов, но при использовании всех страниц, цифра будет в разы больше! Есть так же память ОЗУ, которая сохраняет данные при напряжении питания до 0,3в и при этом потреляет микроАмперы. Т.е. обычный ионистор будет держать данные хоть месяц. Иногда вариант, когда нужно пережить отключение питания устройства.
Упорство, конечно, заслуживающее уважения. Но очень не оптимально. Видимо, всё дело в том, что очень нужно было отрекламировать сриппер. В ином случае, гораздо проще и эффективнее можно было собрать стенд для группового тестирования. Суммарное время тестирования сократилось бы в разы. Но тест интересный. Успехов автору.
Проще и эффективнее, когда ты знаешь сколько будут выдерживать микросхемы. А если ты ожидаешь, что проживут они в 10 раз меньше, то уже не кажется, что нужен стенд группового тестирования
@@rnadyrshin По 10 микросхем, от 15 производителей = 150 микрух запланировано к тестированию. Уже даже не важно, какое именно будет тестирование, лично мне всё-таки кажется, что для теста 150 микрух априори нужен групповой стенд. А уж если учесть, что будет тест на выносливость...
Ты крут, смотрю уже лет 5 твой ютуб, вроде ничего не понятно, но очень интересно, т.к. я более высокоуровневый программист (Java, PHP), ну и школа радиоэлектроники с детства, но все эти микроконтроллеры отдельный мир.
Не хватает главного финального теста - запись в каждую флешку каждого производителя по половине их минимального ресурса заранее известных данных, дальше отключаем питание, складываем их в одну упаковочку герметичную и пару раз в день утром и вечером ставим в морозилку а через пару тройку часов - на солнышко и так неделю/месяц. и потом читаем данные и сравниваем - когда появятся ошибки. это более важно. тут как вы сами и показали - если даль микрухе отдохнуть - немного ресурс увеличивается ещё. а от флешек что требуется на самом деле? быть оперативкой? нет - они должны держать память через большое время БЕЗ питания и через несколько циклов изменения температуры!
@@rnadyrshin но ведь ещё какое-то кол-во циклов ошибки не наблюдается? что это как не увеличение ресурса ещё на 10-50-100-1000 циклов? капля в море против того насилия что им пришлось испытать но всеже. Хотя это можно трактовать и как повышение вероятности единичной ошибки с приближением ресурса к окончанию. согласен но все же таки флешка должна хранить данные без питания в условиях термоциклов и не просто перезаписываться будучи запитаной. помнится у атмела были флешки которые пока питание подано вообще ничего во флеш не писали - только в рам буфер а как питание пропадало то на внутренем ионисторе питаясь быстренько записывали в память. не помню точно модель но там надо было тот кондер инициировать высоким напряжением чтоб оно начало работать. ну не дураки ж они писать 4 милиона циклов когда их на самом деле 20? наверняка есть какойто прикол что перелет за эти 4 милиона - гарантия сохранности данных через 5 лет анулируется
