Dnes se podíváme na základy tranzistorů typu MOSFET, možnosti řízení, pár slov o SiC a GaN MOSFETech. Podpořit mne můžete na Patreonu / drirr90 Nebo mi můžete poslat nějakou malou korunu na svačinu :D 212309392/0300 díky moc!
Video vzniklo za pomoci Patronů: Tomáš Hujčák Jaroslav Burdel stamposk Marek Poslusny videohero Honza Muller Miloš Krejčík Radek Gál Jan Pačák Vlasta Neterda Vojtěch Vyplel Jiri Kelvicl Max Valachovič Josef Benes Tomas Adamec Mak Vít Šimáček Radek Šťastný JMZ Róbert Zeman Dominik Paľo Radek Křepela Vladimír Veselý Martin Kotěra zundik Martin Rolc tomas amperak Filip Stryk Otakar Pycha Tomas Musil_88 Mi Ka Pavel Kozák Michal Dvorský Marek Stein Scelero Rado Zoubek kentaur Václav Polák Martin Malejčik Matus Hoffej Jan Jerie
16:20 - spodní uzel lítá k zemi. No to nepochybně, avšak jsem přesvědčena, že spousta lidí nechápe proč. Příčinou je L a D2. Rozepnutí FETu způsobí indukci na L, čili přes L poteče proud, potažmo přes zátěž, C3, C4, čímž se otevře D2 a to s konečnou platností natlačí ten uzel na zem. Na chvíli. A tady je právě čertovo kopyto každého bootstrapu - ten kondenzátor se musí stihnout nabít dostatečně na to, aby následně udržel otevřený příslušný tranzistor, tedy že se bootstrap kondenzátor předčasně nevybije. Pokud by se to totiž tady stalo, tak při otevřeném FETu poklesne napětí na jeho gate z něčeho >20V na nějakých +10..11V (úbytek na D1 a těch tranzistorech), S se bude držet na nějakých +12V, čili Q3 se začne zavírat, padne do lineární oblasti, čili se nezavře rychle, čili ani indukce na L nebude velká, přivřeným Q3 stále nějaký proud půjde, ale současně na něm bude nemalý úbytek a tím pádem výkonová ztráta, no a potom je z toho takový ten typický trampský příběh ve stylu hoř můj ohníčku a plápolej. No, takže pokud v něčem hořely takové ty věcičky na křemíkové bázi s odtokem a současně je v tom bootstrap, pak je (vzhledem k ceně) celkem rozumné krom ohniště vyměnit i bootstrap kondenzátor, diodu a všechno to okolo důkladně zkontrolovat, protože ono není nic horšího než vyměnit poměrně drahé tranzistory a odstartovat další potlach na laminátu. Mimochodem bootstrap není něco, co by bylo vázané na MOSFETy, nebo na technologii polem řízených tranzistorů. Ono se to totiž mimochodem používá i v monolitických nf zesilovačích, to včetně tak historických kusů jako byl MBA810 či TDA2005. Když příslušný kondenzátor pojde, dělá to moc zábavné věci. Navíc je to důvod, proč se tyto obvody nedají v katalogovém zapojení použít jako výkonový operák. 27:30 - Na tyto součástky nemám odvahu. Toto jsou přesně ty momenty, kdy člověk pochopí, že 100MHz osciloskop a pasivní sondy jsou zastaralá věc. 500MHz je tam podle mého názoru spíše minimum. Sám 350MHz osciloskop bude kreslit 1ns náběžnou hranu, když se k tomu ještě flákne nějaká sonda (byť aktivní), může se to jedině zhoršit, čili na děje kolem 10ns asi dobré, 5ns s odřenýma ušima, musí tam být určitá rezerva, což podle mého názoru na debug (tím myslím na úrovni, aby to mělo nějakou věrohodnost a opakovatelnost) věcí s GaN nestačí. Ono pochopitelně leccos jde obejít a domyslet, ale čím rychlejší signály, tím větší souboj s hmotou to je.
Tie tranzistory majú pri sebe v púzdre aj diódu. Našiel som schému, kde bola pridaná dióda. Má zmysel pridávať do záverného smeru ešte jednu diódu ako ochrannú? Ďakujem.
Ahoj, záleží co od ní požaduješ, nevýhodou diody v tranzistoru je že je pomalá, hodně pomalu se zavírá. Pokud taková rychlost sačí, je to OK. Občas se k těm diodám dávají zvenku schottky aby se dioda v tranzistoru vubec neotevřela :)
Ďakujem za tento vynikajúci podrobný a veľmi zaújmavý výklad problematiky MOSFETov! Aj keď som o nich vedel už dávno, stále mi chýbalo mnžstvo zásadných poznatkov o tom. Preto nesmierne vďaka za vysvetlenie!
Ahoj, nádherná práce, na tvoje videa se vždy moc těším, jednak si zopakuji co jsem za ty leta zapomněl a pak se vždy dozvím něco nového, dnes např. o zákmitech na GaNu. Kolikrát už se mi stalo, že jsem sice informaci znal, ale nedal jsem si ji do správných souvislostí a až teprve při tvém výkladu mi seplo, vzhledem k tomu, že jsem víceméně elektronický samouk a ne vždy mi všechno doklapne na první dobrou jsou pro mne tvoje videa obrovským přínosem. Přeji vše nej v novém roce tobě i všem sledujícím 🙂 Tom
Princip tranzistoru řízeným polem je obdobný elektronce, kde se množství emitovaných elektronů z katody na anodu řídilo napětím mřížky, takže principiální známá zapojení (oscilátorů, směšovačů, ...) s diodou lze (na rozdíl od bipolárního tranzistoru) úspěšně modifikovat pro MOSFET. Velice pěkné video. Velice pěkně dělaný kanál. Rád sleduji a opakuji si... Davide, děkuji a moc držím palce dále... 👍
Děkuji ze pěkné a poučné video. Mohl bych se zeptat, jestli by bylo možné natočit nějaké video ve kterém by bylo vysvětleno, jak pracují jedno tranzistorové oscilátory, třeba takový, který je součástí vašeho spektrálního analyzátoru. Jde mi hlavně třeba praktický příklad návrhu pracovních bodů a návrh kapacitního děliče.
Ahoj, záleží na jaká pásma a na jaký výkon :) při vyšších kmitočtech už je pak vcelku fuk jestli je tam bipolár nebo FET. Oba se chovají jako nějaká impedance. Mrkni sem cz.mouser.com/c/semiconductors/wireless-rf-semiconductors/transistors-rf/rf-mosfet-transistors/?sort=pricing < dal jsem seřadit podle ceny
