Presado, boa tarde! em 21 de março de 2023!!! Muito bom o seu vídeo !! Me inscrevi no canal e vou assistir os demais. Obrigado pelos materiais postados. Força, sucesso!!! PARABÉNS!!!
Excelente explanação sobre os cálculos do disparo dos gates nos mosfets, e também do circuito interno do CI , o qual já substitui muitos outros componentes, como driver dos mosfets. Continue postando mais vídeos sobre este mundo incrível e realista da ELETRÔNICA DE POTÊNCIA. Um grande abraço CONTROL SYSTEMS LTDA TRANSFORMANDO ENERGIA EM SOLUÇÕES. EMPRESA ESPECIALIZADA EM SISTEMAS NO BREAK'S E ESTABILIZADORES ( MONOFASICOS E TRIFÁSICOS) Um grande abraço!!!
VALEU CAIO. CONHECIA SEU CANAL HOJE. JÁ ESTOU INSCRITO. SEMPRE DAREI LIKE ANTES MESMO DE VER O VIDEO, POIS SÓ O ESFORÇO NA PRODUÇÃO E A BOA VONTADE NA EXPLICAÇÃO, JÁ O JUSTIFICA ( O LIKE). PARABENS E BOA SORTE ENGº LUIZ POWER SYSTEMS
Por exemplo, se eu usar um driver IR2110 para acionar 4 mosfets em paralelo eu não poderia usar uma etapa push-pull com BD139 e BD140 antes de ligar no gate dos mosfets? Assim forneceria um ganho de corrente maior
Até poderia, Daniel. Mas o IR2110 consegue fornecer/drenar 2A nas saídas, enquanto esses transistores suportam uma corrente máxima pulsada de 3A (por 10us) ou contínua de 1,5A. Então, seria melhor usar transistores com capacidade maior pra valer a pena. Ou limitar a corrente de cada MOSFET com resistores de gate e usar só o IR2110. Só não pode deixar a comutação muito lenta, senão aumenta as perdas no MOSFET. Na Figura 11 desse material tem uma solução interessante para adicionar o push-pull no IR2110: web.mit.edu/6.131/www/document/float_drive.pdf
Olá, Sandro. Que bom que gostou do conteúdo. Com relação à sua pergunta, Q2 tem que ser um NPN mesmo. Note que são dois amplificadores de emissor comum em cascata. É uma forma de garantir que o sinal de saída fique em fase com o de entrada. Caso contrário, teríamos uma lógica inversora
Excelente explanação. Já na espera do vídeo sobre técnicas de chaveamento em high-side, especialmente o bootstrap. OFF: algumas imagens e fórmulas estão com problemas de carregamento no seu blog. Poderia checar isso? Um abraço.
Ótimo vídeo, porem fiquei na duvida quanto a corrente. Um AVR consegue fornecer 40mA e sempre ligo diretamente no mosfet FDS6982. Até o momento não queimei nada, pois na pratica o tempo que a corrente é alta no gate do mosfet é incrivelmente pequeno e com frequências de PWM em torno de 10 a 25khz não devo ter problemas certo? Pelo que entendi um resistor para limitar a corrente prejudica o tempo de comutação então eu nem coloco. Esse vídeo me ajudou bastante, vou procurar me informar mais sobre o assunto no seu canal.
Na tabela de especificações elétricas tem as faixas de tensão correspondentes ao nível lógico alto (logic '1') e nível lógico baixo (logic '0'). Esses valores são compatíveis com circuitos TTL
Like, uma pergunta: Porque eu desejaria um valor distinto entra a corrente de carga e a de descarga da gate do mosfet? Nao se deseja que ambas as correntes sejam o maior possivel dentro das possibilidades? Muito obrigado.
Olá, Afonso. Em algumas topologias é interessante deixar a entrada em condução mais lenta do que a entrada em bloqueio, para reduzir as perdas por chaveamento. E a corrente de gate está diretamente relacionada aos tempos de comutação. Neste outro vídeo, eu mostro isso em simulação: ru-vid.com/video/%D0%B2%D0%B8%D0%B4%D0%B5%D0%BE-Wx8EFXA44Xo.html
*Não existe bom sem defeito ( autor desconhecido). O MOSFET tem altíssima impedância de entrada pra CC, quando opera em high frequency pulse,or auternate corrente..........*
