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🏮【科技新未來 EP97】二維元件再突破：可重構場效電晶體(RFET)同時滿足運算與記憶如何做到？🏮
00:00 開場大綱 | Intro, Summary
02:11 光致捕獲可重構場效電晶體(PT-RFET)的結構
04:37 過渡金屬二硫屬化物(TMD)的極性轉換
08:06 光致捕獲可重構場效電晶體(PT-RFET)的量測結果
10:22 光致捕獲可重構場效電晶體(PT-RFET)的邏輯閘(Gate)
12:41 在記憶體模示展示人工突觸(Artificial synapse)的功能
17:36 卷積神經網路(CNN)矩陣識別模擬結果
19:07 結論 | Conclusion
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【參考資料】
Meng-Yu Tsa, Chia-Tse Huang, Che-Yi Lin, Mu-Pai Lee, Feng-Shou Yang, Mengjiao Li, Yuan-Ming Chang, Kenji Watanabe, Takashi Taniguchi, Ching-Hwa Ho, Wen-Wei Wu, Mahito Yamamoto, Jiunn-Lin Wu, Po-Wen Chiu, and Yen-Fu Lin
A reconfigurable transistor and memory based on a two-dimensional heterostructure and photoinduced trapping
www.nature.com/articles/s4192...
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6 июл 2024
